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公开(公告)号：CN118569199A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410663095.9
申请日：2024-05-27
Applicant: 厦门大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/392 , G06N3/045 , G06N3/0475 , G06N3/094
Abstract: 本发明提出了一种基于深度学习的射频集成电路无源集成器件逆设计方法，属于射频集成电路和深度学习领域，包括：构建数据集，并针对具体实例仿真获取对应电容和电感的结构参数限制范围，在结构参数限制范围内生成电容和电感结构参数，同仿真后获取的S21参数组合作为数据集；构建深度学习的条件生成对抗网络，通过数据集进行训练，实现了射频集成电路无源集成器件逆设计。本发明通过检测机制生成数据集，根据数据集训练条件生成对抗网络，能够根据实际应用中对射频无源集成器件的性能需求，生成符合要求的射频无源集成器件的结构参数，节省了射频无源集成器件设计和优化的流程，提高射频无源集成器件设计的效率和灵活性。
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