公开(公告)号：CN119121400A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411235049.5

申请日：2024-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴猛 ,  莫仕弟 ,  李嘉豪 ,  张泽峥 ,  马修益 ,  翁振翼 ,  刘无忌 ,  林伟南 ,  康俊勇

IPC: C30B29/22 ,  C30B23/06 ,  C30B23/02 ,  C30B33/02

Abstract: 一种高质量La2NiMnO6单晶薄膜的生长方法，涉及半导体领域。在高温(900℃)但在低氧压(200mT)的生长条件下实现高质量的La2NiMnO6单晶薄膜生长，包括以下步骤：1)钛酸锶衬底在去离子水中超声清洗后，再使用蘸取酒精的棉签进行擦拭清洗；2)使用脉冲激光沉积方法在钛酸锶衬底表面沉积La2NiMnO6薄膜；3)将步骤2)沉积的La2NiMnO6薄膜置于高氧压的气体氛围中退火，即完成质量La2NiMnO6单晶薄膜的制备。采用一种脉冲激光沉积(PLD)生长方法加上退火处理，成功地实现了高质量的La2NiMnO6单晶薄膜制备。