公开(公告)号：CN120051011A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510217320.0

申请日：2025-02-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林伟南 ,  李嘉豪 ,  张泽峥 ,  翁振翼 ,  张俊 ,  宋贺元

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/20 ,  H10F77/40 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00 ,  G01J4/04

Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿氧化物异质结构的圆偏振光光电探测器及其制备方法，光电探测器包括光电转换元件和光学元件，光电转换元件包括衬底、中间层和电极层，衬底、中间层和电极层由下至上依次设置，电极层设置在中间层的上表面，中间层用于与锁相光电测量系统相接；衬底为LaAlO3衬底，中间层包括由下至上依次设置的LaAlO3层、SrTiO3层和LaAlO3层；电极层为两个Ti‑Au双层电极，两个Ti‑Au双层电极间隔设置在中间层上表面；光学元件用于射出激光到中间层上表面且入射点位于两个Ti‑Au双层电极之间，该光电探测器基于中间层(LaAlO3层、SrTiO3层和LaAlO3层)的作用下，不同旋光产生不同强度的光电响应，能够高效检测出不同旋性的偏振光，在圆振光探测领域具有巨大应用价值。

公开(公告)号：CN119121400A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411235049.5

申请日：2024-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴猛 ,  莫仕弟 ,  李嘉豪 ,  张泽峥 ,  马修益 ,  翁振翼 ,  刘无忌 ,  林伟南 ,  康俊勇

IPC: C30B29/22 ,  C30B23/06 ,  C30B23/02 ,  C30B33/02

Abstract: 一种高质量La2NiMnO6单晶薄膜的生长方法，涉及半导体领域。在高温(900℃)但在低氧压(200mT)的生长条件下实现高质量的La2NiMnO6单晶薄膜生长，包括以下步骤：1)钛酸锶衬底在去离子水中超声清洗后，再使用蘸取酒精的棉签进行擦拭清洗；2)使用脉冲激光沉积方法在钛酸锶衬底表面沉积La2NiMnO6薄膜；3)将步骤2)沉积的La2NiMnO6薄膜置于高氧压的气体氛围中退火，即完成质量La2NiMnO6单晶薄膜的制备。采用一种脉冲激光沉积(PLD)生长方法加上退火处理，成功地实现了高质量的La2NiMnO6单晶薄膜制备。