公开(公告)号：CN119650414A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411824168.4

申请日：2024-12-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 袁丛辉 ,  罗雨 ,  戴李宗 ,  罗德浩 ,  陈国荣 ,  罗伟昂

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种二维材料的去溶剂无损精准转移方法，包括：将硅片用HMDS进行表面功能化；采用PMMA苯甲醚溶液对功能化的硅片进行旋涂并烘干形成PMMA支撑膜；采用热释放胶PDMS拾取PMMA支撑膜；将PDMS/PMMA转移至需转移的二维材料/第一衬底的表面，加热后PDMS与PMMA分离，PMMA覆盖在二维材料表面；通过蚀刻溶液的蚀刻，使PMMA/二维材料脱离第一衬底；用PDMS将脱离第一衬底的PMMA/二维材料捞起；将PMMA/二维材料转移至第二衬底；采用丙酮清洗掉PMMA并用氮气吹干，即成。本发明能够实现洁净、高效、精准地转移二维材料，能够避免二维材料对有机溶剂的不耐受性及有机溶剂的污染。

公开(公告)号：CN119639003A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411824165.0

申请日：2024-12-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 戴李宗 ,  罗雨 ,  袁丛辉 ,  卢慧强 ,  陈国荣 ,  罗伟昂

IPC: C08G79/08 ,  H10K30/10 ,  H10K85/10 ,  H10K30/65

Abstract: 本发明公开了一种有机无机异质结材料及其制备方法和应用，包括一位于衬底上的2D TMDs及在该2D TMDs表面形成的硼酸酯聚合物层，硼酸酯聚合物层中的硼酸酯聚合物的结构式为#imgabs0#本发明能够通过改变单体的浓度从而调控硼酸酯聚合物层的厚度，进而调控硼酸酯聚合物‑TMDs异质结的光电特性，以其作为沟道材料制备的场效应晶体管具有多个电流层级，制备的光电器件具有提升的光响应动力学，有效抑制TMDs光电器件的持久光电导效应，使得光电器件具有长时间的环境稳定性。

公开(公告)号：CN119639004A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411824167.X

申请日：2024-12-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 戴李宗 ,  陈海龙 ,  袁丛辉 ,  罗雨 ,  陈国荣 ,  罗伟昂

IPC: C08G79/08 ,  H10K10/46 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明公开了一种黑磷‑硼酸酯聚合物异质结材料及其制备方法和应用，由内到外包括一SiO2/Si衬底、一2D‑BP沉积层和至少一BEP壳层，其中，BEP壳层中的BEP的结构式为#imgabs0#本发明的BP‑BEPs异质结材料可作为沟道材料用以制备场效应晶体管(FET)，其中BEP的包覆能够提高BP FET的开关比，该开关比的增加能够进一步降低其功耗，提升其信号响应速度以及增强其抗噪声干扰能力。

公开(公告)号：CN219117549U

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202223287352.9

申请日：2022-12-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 袁丛辉 ,  罗雨 ,  戴李宗 ,  罗伟昂 ,  许一婷

IPC: C23C16/455

Abstract: 本实用新型涉及化学气相沉积(CVD)管式炉技术领域，特别涉及一种均匀导气的管式炉，其包括：炉体；石英管，其穿设于炉体内，且其两端部自炉体向外伸出，两端部包括第一端部和第二端部；二法兰，其分别设于石英管的第一端部和第二端部上；导气装置，位于石英管的第一端部上，其包括穿设在第一端部的法兰上的进气管、以及设于石英管内与进气管连通的导气结构；导气结构包括进气主管道、与进气主管道连通的导气主管道、与进气主管道连通并与导气主管道呈环形平行设置的若干导气支管道、以及顺次衔接各导气支管道的环形加固件；出气管，其穿设在第二端部的法兰上。采用本实用新型提供的均匀导气的管式炉，其炉内的气流平稳且气体扩散均匀。