公开(公告)号：CN114944494B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202210616267.8

申请日：2022-06-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姜艳霞 ,  黎燕荣 ,  程晓阳 ,  孙世刚

IPC: H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M4/92

Abstract: 本发明公开了一种在低温条件下大批量制备高纯度M‑N型单原子碳基催化剂的方法，本发明首先制备了大小尺寸在150～400nm左右Zn‑ZIF菱形十二面体；在10％NH3和90％Ar气体环境中于700‑1000℃煅烧10min‑50min，然后将在惰性气氛中热处理70min‑110min，制备得到活性N‑C载体。第二步，采用溶液浸渍法或固体球磨法，将氯化金属盐分散吸附在第一步制备的活性N‑C载体中，然后在(惰性气氛和还原性气体)氩气和氢气混合气氛中(0％H2‑100％H2)中在300℃‑500℃温度下热处理2h‑6h，再随炉降温，得到最终催化剂。

公开(公告)号：CN114944494A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210616267.8

申请日：2022-06-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姜艳霞 ,  黎燕荣 ,  程晓阳 ,  孙世刚

IPC: H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M4/92

Abstract: 本发明公开了一种在低温条件下大批量制备高纯度M‑N型单原子碳基催化剂的方法，本发明首先制备了大小尺寸在150～400nm左右Zn‑ZIF菱形十二面体；在10％NH3和90％Ar气体环境中于700‑1000℃煅烧10min‑50min，然后将在惰性气氛中热处理70min‑110min，制备得到活性N‑C载体。第二步，采用溶液浸渍法或固体球磨法，将氯化金属盐分散吸附在第一步制备的活性N‑C载体中，然后在(惰性气氛和还原性气体)氩气和氢气混合气氛中(0％H2‑100％H2)中在300℃‑500℃温度下热处理2h‑6h，再随炉降温，得到最终催化剂。

公开(公告)号：CN112886030A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110035742.8

申请日：2021-01-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姜艳霞 ,  程晓阳 ,  韩瑜 ,  孙世刚

IPC: H01M4/90

Abstract: 本发明公开了一种多孔凹形立方体CoNP@CoSA‑N‑C催化剂及其制备方法和应用，本发明首先制备了大小尺寸在200～400nm左右ZnCo‑ZIF立方体，然后在立方体ZnCo‑ZIF表面包覆介孔二氧化硅涂层，制备得到ZnCo‑ZIF@mSiO2纳米立方体；在惰性气体环境中于700‑1000℃煅烧，然后将二氧化硅层蚀刻掉以形成多孔凹形立方体Co单原子催化剂(CoSA‑N‑C)。第二步，采用有机金属气态升华掺杂法来提高金属含量，在CoSA‑N‑C碳基体上，首先将乙酰丙酮钴低温蒸发，然后捕集，再高温还原并稳定在CoSA‑N‑C碳基体上，最后合成高含量Co金属催化剂。同时生成包含高活性的Co纳米颗粒和Co‑N4复合位(CoNP@CoSA‑N‑C)。本发明极大提高了催化剂的活性。

公开(公告)号：CN112886030B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110035742.8

申请日：2021-01-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姜艳霞 ,  程晓阳 ,  韩瑜 ,  孙世刚

IPC: H01M4/90

Abstract: 本发明公开了一种多孔凹形立方体CoNP@CoSA‑N‑C催化剂及其制备方法和应用，本发明首先制备了大小尺寸在200～400nm左右ZnCo‑ZIF立方体，然后在立方体ZnCo‑ZIF表面包覆介孔二氧化硅涂层，制备得到ZnCo‑ZIF@mSiO2纳米立方体；在惰性气体环境中于700‑1000℃煅烧，然后将二氧化硅层蚀刻掉以形成多孔凹形立方体Co单原子催化剂(CoSA‑N‑C)。第二步，采用有机金属气态升华掺杂法来提高金属含量，在CoSA‑N‑C碳基体上，首先将乙酰丙酮钴低温蒸发，然后捕集，再高温还原并稳定在CoSA‑N‑C碳基体上，最后合成高含量Co金属催化剂。同时生成包含高活性的Co纳米颗粒和Co‑N4复合位(CoNP@CoSA‑N‑C)。本发明极大提高了催化剂的活性。