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公开(公告)号:CN116581063A
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202310616244.1
申请日:2023-05-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 厦门大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 一种硅片刻蚀工装及硅片刻蚀方法,该工装包括:第一插片板、第二插片板、上端板和下端板;上端板包括第一上连接板、第二上连接板和第一固定板,该第一固定板分别与第一上连接板和第二上连接板固定,使上端板呈工字型结构;该第一上连接板的两端以及第二上连接板的两端均分别与第一插片板和第二插片板的上侧连接;下端板与上端板结构相似,均为工字型结构;第一插片板和第二插片板上侧的中心部分均设置为镂空结构,且第一插片板的下侧和第二插片板的下侧正对设置若干个插片槽,用以将硅片从第一插片板的插片槽中插入,贯穿至第二插片板上对应插片槽中。利用本工装进行硅片刻蚀能够降低刻蚀成本的同时提高刻蚀效率。
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公开(公告)号:CN118852329A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410895018.6
申请日:2024-07-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及医药技术领域,尤其涉及化合物及其在制备免疫治疗药物中的应用。本发明提供了一种化合物,其能够与核酸药物结合,并且,每个核酸分子能够通过R基团与多个式I化合物连接,共同作为核酸药物的载体,从而联合递送调控树突细胞,来促进T细胞的抗肿瘤免疫反应。
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