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公开(公告)号：CN116913861A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310899435.3
申请日：2023-07-21
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于晶圆级封装技术领域，具体公开了一种TSV/TGV微通孔金属化方法，具体包括：清洗衬底材料保持衬底表面洁净；将衬底材料烘干后打孔，打孔完成后再进行清洗烘干；对衬底材料表面以及通孔进行绝缘层的沉积；对衬底材料表面以及通孔进行阻挡层和种子层的沉积；将衬底材料放入浸润槽中，然后对浸润槽进行抽真空，持续时间为20‑60min,直至衬底表面没有气泡产生；设置多段电流密度和时间进行电镀。本发明通过设置多段电流密度和时间，调整通孔两端的电力线密度，精准控制桥连位置，完成多种方法的部分实心填充。
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