-
公开(公告)号：CN102560573A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210059186.9
申请日：2012-03-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D3/54
Abstract: 一种锗单质薄膜的制备方法，涉及一种薄膜。导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液：将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液，调节pH值，加入支持电解质；使用三电极体系，控制反应电位为-900～-1500mV，沉积时间为100～10800s，进行电化学沉积反应，在导电基片上得到锗单质薄膜，结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂。成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点。
Search Results
1
records
(took 0.037 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
