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公开(公告)号：CN103484702B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310488066.5
申请日：2013-10-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Cr2AlC颗粒增强Zn基复合材料及其制备方法，涉及金属基复合材料。所述Cr2AlC颗粒增强Zn基复合材料中，基体金属粉末为锌粉，锌粉的粒径大小为20～50μm；第二相增强体Cr2AlC粉末含量为1%～30%，第二相增强体Cr2AlC粉末的粒径大小为0.1～30μm，通过无压烧结的方法制得。分别将Cr2AlC粉末和锌粉末球磨，使两相粉末混合均匀；将混合均匀的粉末烘干后，放在石墨模具中热压烧结，烧结过程中通入氩气作为保护气体，得Cr2AlC颗粒增强Zn基复合材料。复合材料耐热性较好，抗拉与蠕变强度高，具有良好的耐摩擦磨损性能。制备方法工艺简单，条件温和。
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公开(公告)号：CN103552998A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310487911.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 一种GeTe微晶的制备方法，涉及一种铁电材料。将GeO2粉末加入盛有氨水溶液的容器中加热，搅拌至溶液澄清得GeO2-氨水溶液；将Te粉或TeO2粉末，和NaBH4粉末加入盛有去离子水的容器中加热，搅拌至形成紫红色溶液，得Te-NaBH4溶液或TeO2-NaBH4溶液；将所得GeO2-氨水溶液加入所得Te-NaBH4溶液或TeO2-NaBH4溶液中，搅拌得沉淀；将所得的沉淀离心、洗涤，再分散于无水乙醇中，然后将含有沉淀的悬浊液移至培养皿上，干燥后得黑色粉末；将得到的黑色粉末收集置于坩埚中，在惰性气氛下对黑色粉末进行热处理后，冷却至室温，得GeTe微晶。制备过程简单，环境友好。
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公开(公告)号：CN103484702A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310488066.5
申请日：2013-10-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Cr2AlC颗粒增强Zn基复合材料及其制备方法，涉及金属基复合材料。所述Cr2AlC颗粒增强Zn基复合材料中，基体金属粉末为锌粉，锌粉的粒径大小为20～50μm；第二相增强体Cr2AlC粉末含量为1%～30%，第二相增强体Cr2AlC粉末的粒径大小为0.1～30μm，通过无压烧结的方法制得。分别将Cr2AlC粉末和锌粉末球磨，使两相粉末混合均匀；将混合均匀的粉末烘干后，放在石墨模具中热压烧结，烧结过程中通入氩气作为保护气体，得Cr2AlC颗粒增强Zn基复合材料。复合材料耐热性较好，抗拉与蠕变强度高，具有良好的耐摩擦磨损性能。制备方法工艺简单，条件温和。
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公开(公告)号：CN102560589A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210058804.8
申请日：2012-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法，涉及一种相变材料薄膜。将导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液；配制Sb3+和Te4+离子电解质溶液；恒电位沉积；恒电流沉积。在室温水溶液中通过简单的电化学沉积方法，制备结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强的Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂、成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点，在半导体领域尤其是相变存储材料的制备中有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN103482588B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201310405032.5
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法，涉及热电材料。提供一种反应温度低，工艺简单，环境友好，且合成的粉体纯度高，形貌较好的硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法。所述硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料由碲化铅和硒化铅组成，其中，化学计量比的PbTe被化学计量比的PbSe包裹。将Pb(CH3COO)2·3H2O、TeO2和SeO2按Pb∶Te∶Se=2∶1∶1的摩尔比溶解到氢氧化钠水溶液中，加入NaBH4，混合后得前驱液，再移入反应釜中，在温度为160～200℃下保温18～22h后停止反应，待反应温度降至室温后，分离出沉淀物，洗涤至中性后恒温干燥，得硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102560589B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210058804.8
申请日：2012-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法，涉及一种相变材料薄膜。将导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液；配制Sb3+和Te4+离子电解质溶液；恒电位沉积；恒电流沉积。在室温水溶液中通过简单的电化学沉积方法，制备结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强的Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂、成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点，在半导体领域尤其是相变存储材料的制备中有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN103469000A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310416776.7
申请日：2013-09-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Cu/Cr2AlC触头材料及其制备工艺，涉及粉末合金材料。提供一种高强度、高硬度、高导电和导热率、耐腐蚀、耐磨损并且具有自润滑能力的Cu/Cr2AlC触头材料及制备工艺。Cu/Cr2AlC触头材料的组分，包括铜和Cr2AlC，按质量百分比，铜为80%～99%，Cr2AlC为1%～20%。1）将铬粉、铝粉和石墨粉按配比通过无压烧结制备出Cr2AlC粉末，惰性气体作为保护气体；2）将步骤1）中制备的Cr2AlC粉末再与铜粉末按比例放入球磨机中球磨，得均匀混合的粉末；3）将步骤2）中所得粉末放在石墨模具中进行热压烧结，烧结过程通入惰性气体作为保护气体，得本发明所述Cu/Cr2AlC触头材料。
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公开(公告)号：CN103552998B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201310487911.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 一种GeTe微晶的制备方法，涉及一种铁电材料。将GeO2粉末加入盛有氨水溶液的容器中加热，搅拌至溶液澄清得GeO2-氨水溶液；将Te粉或TeO2粉末，和NaBH4粉末加入盛有去离子水的容器中加热，搅拌至形成紫红色溶液，得Te-NaBH4溶液或TeO2-NaBH4溶液；将所得GeO2-氨水溶液加入所得Te-NaBH4溶液或TeO2-NaBH4溶液中，搅拌得沉淀；将所得的沉淀离心、洗涤，再分散于无水乙醇中，然后将含有沉淀的悬浊液移至培养皿上，干燥后得黑色粉末；将得到的黑色粉末收集置于坩埚中，在惰性气氛下对黑色粉末进行热处理后，冷却至室温，得GeTe微晶。制备过程简单，环境友好。
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公开(公告)号：CN103482588A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310405032.5
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法，涉及热电材料。提供一种反应温度低，工艺简单，环境友好，且合成的粉体纯度高，形貌较好的硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法。所述硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料由碲化铅和硒化铅组成，其中，化学计量比的PbTe被化学计量比的PbSe包裹。将Pb(CH3COO)2·3H2O、TeO2和SeO2按Pb∶Te∶Se=2∶1∶1的摩尔比溶解到氢氧化钠水溶液中，加入NaBH4，混合后得前驱液，再移入反应釜中，在温度为160～200℃下保温18～22h后停止反应，待反应温度降至室温后，分离出沉淀物，洗涤至中性后恒温干燥，得硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料。
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公开(公告)号：CN102560573A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210059186.9
申请日：2012-03-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D3/54
Abstract: 一种锗单质薄膜的制备方法，涉及一种薄膜。导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液：将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液，调节pH值，加入支持电解质；使用三电极体系，控制反应电位为-900～-1500mV，沉积时间为100～10800s，进行电化学沉积反应，在导电基片上得到锗单质薄膜，结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂。成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点。
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