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公开(公告)号：CN101275075A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810071049.0
申请日：2008-05-09
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/65
Abstract: 一种发光碳化硅薄膜的制备方法，涉及一种碳化硅薄膜。提供一种发光碳化硅薄膜性能好，工艺简单，成本低，可制作成高温、高频、大功率、耐辐射等极端器件以及SiC集成电路、传感器等极端环境下工作核心光电子器件等的发光碳化硅薄膜的制备方法。以聚二甲基硅烷裂解的液相产物聚硅碳硅与乙酰丙酮铝升温反应后冷却，经溶解、过滤和蒸馏处理得先驱体聚铝碳硅烷，脱泡处理得连续聚铝碳硅烷自由原膜，再进行空气不熔化预氧化交联处理后预烧结：把经交联处理的连续聚铝碳硅烷自由原膜放入高温炉，升温，冷却后取出，得预烧结含铝碳化硅薄膜；交联处理后进行终烧，即得含铝碳化硅薄膜。
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