公开(公告)号：CN101275075A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810071049.0

申请日：2008-05-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 冯祖德 ,  姚荣迁 ,  张冰洁 ,  余煜玺 ,  林宏毅

IPC: C09K11/65

Abstract: 一种发光碳化硅薄膜的制备方法，涉及一种碳化硅薄膜。提供一种发光碳化硅薄膜性能好，工艺简单，成本低，可制作成高温、高频、大功率、耐辐射等极端器件以及SiC集成电路、传感器等极端环境下工作核心光电子器件等的发光碳化硅薄膜的制备方法。以聚二甲基硅烷裂解的液相产物聚硅碳硅与乙酰丙酮铝升温反应后冷却，经溶解、过滤和蒸馏处理得先驱体聚铝碳硅烷，脱泡处理得连续聚铝碳硅烷自由原膜，再进行空气不熔化预氧化交联处理后预烧结：把经交联处理的连续聚铝碳硅烷自由原膜放入高温炉，升温，冷却后取出，得预烧结含铝碳化硅薄膜；交联处理后进行终烧，即得含铝碳化硅薄膜。

公开(公告)号：CN101851097A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010139520.2

申请日：2010-04-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 冯祖德 ,  张冰洁 ,  姚荣迁

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 一种用于微机电系统碳化硅陶瓷薄膜的制备方法，涉及一种碳化硅薄膜。对聚碳硅烷进行掺杂或改性；对掺杂或改性后的聚碳硅烷进行脱泡处理及纺膜；将聚碳硅烷自由原膜进行不熔化交联处理，再进行预烧结；预烧结碳化硅自由薄膜进行终烧。工艺简单，成本低；制膜速度快，无需借助基底，避免CVD法制备SiC薄膜存在的热膨胀系数差异与晶格失配的问题；异质元素的引入有效抑制了SiC自由薄膜高温烧成过程中的晶粒长大，提高其耐高温性能，致密度高；避免PDC法制备陶瓷MEMS的聚合物先驱体和模具分离时对聚合物先驱体的损伤及收缩导致烧结过程中结构材料弯曲等问题。避免PDC法制备陶瓷MEMS脱模过程中易破裂、卷曲和起包等问题。