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公开(公告)号：CN102115539A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010618477.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: C08G77/62 , C04B35/515
Abstract: 一种液态聚硼硅氮烷的制备方法。属于无机非金属材料领域，包括以下步骤：在惰性气氛保护下，将液态聚硅氮烷和9-硼杂双环[3，3，1]壬烷加入溶剂中得混合溶液，将所得混合溶液在搅拌条件下进行硼氢化反应，反应结束后除去溶剂即得液态聚硼硅氮烷。解决了现有的聚合物路线中硼氢加成反应易导致过度交联、聚硼硅氮烷为固态和流动性较差的问题。所制备的液态聚硼硅氮烷具有良好的流动性，陶瓷产率高，可直接用于高聚物浸渍裂解法制备SiBCN陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN112467390B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011285375.9
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 带左右手及过孔复合调控的开槽嵌套形漏波天线阵，涉及漏波天线。包括n个级联于介质基板上的带左右手及过孔复合调控的开槽嵌套形周期单元，开槽嵌套形周期单元包含上下2个良导体层与5个金属化过孔；上良导体层由嵌套组合的开槽矩形金属片和左手复合折线形短路枝节构成，上开槽矩形金属片的上下两端连接的矩形微带线用于调节级联阻抗；下良导体层由开槽矩形金属片构成，并通过平衡对称感性加载过孔连接上良导体层；过孔感性加载开槽矩形金属片结构消除周期单元的寄生谐振，结合级联片、不同弯折数量的左手复合折线形短路枝节获取不同左右手复合参数。可覆盖现有5g移动通信频段，可级联多个周期单元，具有宽工作频带的特性，利于小型化设计。
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公开(公告)号：CN112467390A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011285375.9
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 带左右手及过孔复合调控的开槽嵌套形漏波天线阵，涉及漏波天线。包括n个级联于介质基板上的带左右手及过孔复合调控的开槽嵌套形周期单元，开槽嵌套形周期单元包含上下2个良导体层与5个金属化过孔；上良导体层由嵌套组合的开槽矩形金属片和左手复合折线形短路枝节构成，上开槽矩形金属片的上下两端连接的矩形微带线用于调节级联阻抗；下良导体层由开槽矩形金属片构成，并通过平衡对称感性加载过孔连接上良导体层；过孔感性加载开槽矩形金属片结构消除周期单元的寄生谐振，结合级联片、不同弯折数量的左手复合折线形短路枝节获取不同左右手复合参数。可覆盖现有5g移动通信频段，可级联多个周期单元，具有宽工作频带的特性，利于小型化设计。
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