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公开(公告)号：CN105135876B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510568122.5
申请日：2015-09-09
Abstract: 一种自支撑陶瓷薄膜的连续化生产烧结装置，涉及陶瓷薄膜。设有高温炉系统和样品传送系统；高温炉系统设有炉体、加热装置、真空装置；炉体设有炉膛、隔热层和真空层，炉膛被隔热层分隔为进样室、烧结室、冷却室、收样室；加热装置设有热电偶和控温仪；真空装置设有内炉真空泵和真空层真空泵；样品传送系统设有进样室样品卷绕装置、样品传送装置和收样室样品卷绕装置；进样室样品卷绕装置设有卷膜筒、固定杆、轴承、电机轴齿轮、轴承齿轮和卷膜筒电机；样品传送装置设有载样台、固定杆、轴承、电机轴齿轮、轴承齿轮、大齿轮、传送装置电机、链条和传送带；收样室样品卷绕装置设有卷膜筒、固定杆、轴承、电机轴齿轮、轴承齿轮和卷膜筒电机。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161599A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510482407.7
申请日：2015-08-07
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/48 , H01L2933/0033
Abstract: 一种LED灯丝灯灯丝基板材料的制备方法，涉及LED灯丝灯。将聚碳硅烷与聚丙烯混合，加热成熔融态，使熔体循环混合，脱泡后纺膜，即得改性聚碳硅烷原膜，再不熔化预处理，预烧，终烧，即得自支撑碳化硅复合薄膜，高温处理后即在复合薄膜上下表面各获得一层绝缘SiO2氧化层；对复合薄膜表面的部分氧化层进行刻蚀；将刻蚀处理后的复合薄膜固定在陶瓷片上，使直线丝网对准复合薄膜上未刻蚀掉的氧化层，将银浆涂覆在丝网一侧，用刮板将银浆向另一侧刮刷，将复合薄膜放入管式炉中，通入氩气保护，升温，在复合薄膜的一表面上制备LED散热基板导电层，然后在复合薄膜另一表面制备LED散热基板导电层，即得LED灯丝灯灯丝基板材料。
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公开(公告)号：CN105161599B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201510482407.7
申请日：2015-08-07
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种LED灯丝灯灯丝基板材料的制备方法，涉及LED灯丝灯。将聚碳硅烷与聚丙烯混合，加热成熔融态，使熔体循环混合，脱泡后纺膜，即得改性聚碳硅烷原膜，再不熔化预处理，预烧，终烧，即得自支撑碳化硅复合薄膜，高温处理后即在复合薄膜上下表面各获得一层绝缘SiO2氧化层；对复合薄膜表面的部分氧化层进行刻蚀；将刻蚀处理后的复合薄膜固定在陶瓷片上，使直线丝网对准复合薄膜上未刻蚀掉的氧化层，将银浆涂覆在丝网一侧，用刮板将银浆向另一侧刮刷，将复合薄膜放入管式炉中，通入氩气保护，升温，在复合薄膜的一表面上制备LED散热基板导电层，然后在复合薄膜另一表面制备LED散热基板导电层，即得LED灯丝灯灯丝基板材料。
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公开(公告)号：CN105135876A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510568122.5
申请日：2015-09-09
Abstract: 一种自支撑陶瓷薄膜的连续化生产烧结装置，涉及陶瓷薄膜。设有高温炉系统和样品传送系统；高温炉系统设有炉体、加热装置、真空装置；炉体设有炉膛、隔热层和真空层，炉膛被隔热层分隔为进样室、烧结室、冷却室、收样室；加热装置设有热电偶和控温仪；真空装置设有内炉真空泵和真空层真空泵；样品传送系统设有进样室样品卷绕装置、样品传送装置和收样室样品卷绕装置；进样室样品卷绕装置设有卷膜筒、固定杆、轴承、电机轴齿轮、轴承齿轮和卷膜筒电机；样品传送装置设有载样台、固定杆、轴承、电机轴齿轮、轴承齿轮、大齿轮、传送装置电机、链条和传送带；收样室样品卷绕装置设有卷膜筒、固定杆、轴承、电机轴齿轮、轴承齿轮和卷膜筒电机。
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公开(公告)号：CN104496481A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201510003182.2
申请日：2015-01-06
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置及制备方法，涉及硅氧碳薄膜。制备装置设有支撑系统、纺膜系统、滚压成型系统和加热系统；支撑系统为纺膜系统和滚压成型系统提供支架和底座；纺膜系统设有顶杆、喷膜料筒和喷模板；滚压成型系统设有横向加宽器、纵向加宽器和卷绕器；加热系统设有出膜板、加热体、保温体、炉壁、玻璃窗、耐热手套、蝴蝶夹、把手、热电偶和控温器。以聚碳硅烷为先驱体，在惰性气体氛围中，先进行脱泡和熔融处理，再将得到的熔融聚碳硅烷从出膜口引入挤压成型装置，在惰性气氛保护及较高温度的环境中，经过多次滚筒滚压，获得具有较大宽度的聚碳硅烷原膜，原膜经氧化交联和高温裂解烧结，即得加宽型自支撑硅氧碳薄膜。
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公开(公告)号：CN104496481B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510003182.2
申请日：2015-01-06
Applicant: 厦门大学
IPC: B29C47/00 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置及制备方法，涉及硅氧碳薄膜。制备装置设有支撑系统、纺膜系统、滚压成型系统和加热系统；支撑系统为纺膜系统和滚压成型系统提供支架和底座；纺膜系统设有顶杆、喷膜料筒和喷模板；滚压成型系统设有横向加宽器、纵向加宽器和卷绕器；加热系统设有出膜板、加热体、保温体、炉壁、玻璃窗、耐热手套、蝴蝶夹、把手、热电偶和控温器。以聚碳硅烷为先驱体，在惰性气体氛围中，先进行脱泡和熔融处理，再将得到的熔融聚碳硅烷从出膜口引入挤压成型装置，在惰性气氛保护及较高温度的环境中，经过多次滚筒滚压，获得具有较大宽度的聚碳硅烷原膜，原膜经氧化交联和高温裂解烧结，即得加宽型自支撑硅氧碳薄膜。
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