公开(公告)号：CN118727075A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410828396.2

申请日：2024-06-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 夏启飞 ,  钟毅 ,  黎科 ,  张鑫硕

IPC: C25D3/38 ,  C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  C25D5/54

Abstract: 本发明属于先进封装技术领域，具体公开了一种用于高深宽比TSV盲孔填实的电镀液和电镀工艺，其中电镀液包括基础镀液和复合添加剂，所述基础镀液包括硫酸铜100‑300g/L、硫酸10‑100g/L、氯离子10‑200ppm，所述复合添加剂包括光亮剂、抑制剂、整平剂，所述光亮剂、抑制剂、整平剂的质量比为1‑100：0.1‑10：1‑20，所述基础镀液和添加剂的体积比为1000:0.5‑2。本发明在使用条件范围内，有效抑制表面的铜生长，促进孔底部铜离子的还原，实现高深宽比TSV的无缝填充；采用酸性硫酸铜体系，工艺简单，采用传统的三添加剂体系，有利于药液维护，适用于现有的晶圆级电镀设备。

公开(公告)号：CN118538492A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410687893.5

申请日：2024-05-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 孟展 ,  钟毅 ,  颜婉怡 ,  张鑫硕

IPC: H01C17/06 ,  H01C17/00 ,  H01C7/00 ,  H01C1/14

Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺具体公开了一种射频大功率通孔型金刚石电阻器的制造工艺，包括如下步骤：制作通孔、制作金属电极：通过PVD物理气相沉积先在制得的含有通孔的金刚石通孔内镀种子层，再通过电镀将通孔填实作为金属电极；去除金刚石表面因通孔内镀种子层引入的面铜；镀环状电极层；镀电阻膜层。本发明提出一种新型的通孔型片式金刚石薄膜电阻器，通过金刚石基片通孔电镀的方式避免了外引电极，大大延长器件寿命，易于与其他器件集成；同时可在后续加工使用中通过键合等方式与其他产品直接应用于三维封装里。

公开(公告)号：CN119275102A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411371356.6

申请日：2024-09-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张鑫硕 ,  钟毅 ,  黎科 ,  夏启飞

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种低成本金刚石拼接晶圆级散热器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：对金刚石片进行表面预处理；在硅晶圆片上旋涂光刻胶；将表面预处理后的金刚石片按一定间距的阵列转移至表面旋涂光刻胶的硅晶圆片上；通过PVD依次在表面包含阵列排列的金刚石片的硅晶圆片上生长过渡层和电镀种子层；在电镀种子层表面电镀铜，呈阵列排列的金刚石片之间的空隙被完全填充；将电镀铜填充处理后的晶圆片表面进行磨抛处理；通过有机溶剂将金刚石下表面的光刻胶溶解掉。本发明通过电镀拼接的方式，将金刚石小片拼接成晶圆，成本远远小于制作同等大小的晶圆级金刚石。