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公开(公告)号：CN118538492A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410687893.5
申请日：2024-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺具体公开了一种射频大功率通孔型金刚石电阻器的制造工艺，包括如下步骤：制作通孔、制作金属电极：通过PVD物理气相沉积先在制得的含有通孔的金刚石通孔内镀种子层，再通过电镀将通孔填实作为金属电极；去除金刚石表面因通孔内镀种子层引入的面铜；镀环状电极层；镀电阻膜层。本发明提出一种新型的通孔型片式金刚石薄膜电阻器，通过金刚石基片通孔电镀的方式避免了外引电极，大大延长器件寿命，易于与其他器件集成；同时可在后续加工使用中通过键合等方式与其他产品直接应用于三维封装里。
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