公开(公告)号：CN118742194A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310319894.X

申请日：2023-03-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 侯旭 ,  凌一心 ,  侯雅琦 ,  虞乐建 ,  张俭 ,  王艳琼

IPC: H10N70/20 ,  B82Y30/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米孔道离子传输的忆阻器及其调控方法。所述忆阻器包括纳米孔道，所述纳米孔道具有半径小于250nm的第一区域以及半径大于第一区域的半径且小于2000nm的第二区域，所述的第一区域和第二区域内表面具有电荷；所述纳米孔道内具有电解质溶液；所述忆阻器具有环境刺激响应能力；所述忆阻器的性能可根据环境刺激调节；所述忆阻器可以组成阵列(芯片)。本发明所述的忆阻器具有基于纳米孔道离子传输、具有突触性能、在溶液体系工作、与生物体系相容性好、性能可调节等特点，可用于脑机接口，神经网络计算等。

公开(公告)号：CN118251119A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410376680.0

申请日：2024-03-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 侯旭 ,  侯雅琦 ,  王艳琼 ,  霍峰蔚 ,  凌一心

IPC: H10N70/20 ,  G06N3/063 ,  H10N70/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种基于离子浓差的纳流忆阻器，包括具有尖端开口和底端开口的锥形纳米孔道，底端开口的口径大于尖端开口；锥形纳米孔道的内部环境中存在第一电解质溶液，与尖端开口导通的外部环境中存在第二电解质溶液，第一电解质溶液和第二电解质溶液具有离子浓度差异并在外加电场的作用下产生忆阻效应；通过调控第一电解质溶液和第二电解质溶液的离子浓度差异大小实现忆阻效应强度的改变或方向的反转，并应用于人工离子突触器件实现兴奋性突触、抑制性突触的模拟或转换。本发明可以灵活地调控忆阻强弱、模拟突触可塑性、抗外界磁场干扰，并由于水溶液测试环境，具有更强的生物相容性等优点。