公开(公告)号：CN116761777A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202180092183.2

申请日：2021-11-29

Applicant: 卢森堡科学技术研究院

Inventor： 安托万·杜海因 ,  纪尧姆·蓝布琳 ,  D·勒诺布尔

IPC: C01B32/168

Abstract: 披露了一种用于制造金属‑CNT复合材料的方法。该方法包括提供CNT附聚物，在镀覆溶液中填充CNT附聚物的间隙，以形成其中嵌入有CNT的金属相。当形成该金属相时，用夹持器具压缩CNT附聚物。本发明的另一个方面涉及具有高CNT含量的金属‑CNT复合材料。

公开(公告)号：CN112513338B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201980050298.8

申请日：2019-08-22

Applicant: 卢森堡科学技术研究院

Inventor： 安托万·杜海因 ,  马克·米歇尔 ,  纪尧姆·蓝布琳 ,  D·勒诺布尔

IPC: C25D5/54 ,  B05D1/00 ,  B82Y30/00 ,  C25D15/00 ,  C01B32/00

Abstract: 根据本发明的第一方面，提出了一种用于生产金属‑CNT复合材料的方法。所述方法包括通过沉积涂覆有多酚或聚(儿茶酚胺)涂层的CNT来提供CNT层，并用金属填充碳纳米管层的间隙，以形成其中嵌入有CNT的金属基质。填充通过电沉积或通过无电沉积来进行。多酚或聚(儿茶酚胺)涂层通过金属离子交联，所述金属离子作为金属种子促进在填充步骤期间金属基质的粘附和/或生长。本发明的另一个方面涉及通过所述方法可获得的金属‑CNT复合材料。

公开(公告)号：CN116669949A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180088916.5

申请日：2021-12-24

Applicant: 卢森堡科学技术研究院

Inventor： 安托万·杜海因 ,  纪尧姆·蓝布琳 ,  D·勒诺布尔 ,  马克·米歇尔

IPC: B32B15/02

Abstract: 提出了一种雷击保护材料，其包含基材(12)，该基材承载金属层(14)，以及在该金属层上的铜‑纳米碳复合层(16)，该铜‑纳米碳复合层包含由碳纳米管和/或石墨烯片组成的纳米碳缠结(18)，该纳米碳缠结嵌入铜相(20)内并分布在整个铜‑纳米碳复合层中。

公开(公告)号：CN116529592A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180079323.2

申请日：2021-11-10

Applicant: 卢森堡科学技术研究院

Inventor： 塞萨尔·帕斯夸尔加西亚 ,  D·勒诺布尔

IPC: G01N27/414

Abstract: 一种pH传感器包括：腔室，该腔室用于接纳电解质溶液；第一离子敏感场效应晶体管(ISFET)和第二ISFET，该第一ISFET和该第二ISFET中的每一个具有：源极端子、漏极端子和在该源极端子与该漏极端子之间延伸的晶体管沟道；介电层，该介电层具有布置在该腔室中的感测表面以便能够被该电解质溶液接触，该介电层将该感测表面与该晶体管沟道分开；第一测量电路，该第一测量电路被配置成测量该第一ISFET的晶体管沟道上的第一源极‑漏极电阻；以及第二测量电路，该第二测量电路被配置成测量该第二ISFET的晶体管沟道上的第二源极‑漏极电阻。该第一测量电路和该第二测量电路包括公共参比电极，该参比电极被布置成可被该腔室中的所述电解质溶液接触。第一ISFET的介电层具有第一厚度，并且该第二ISFET的介电层具有不同于该第一厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN112513338A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980050298.8

申请日：2019-08-22

Applicant: 卢森堡科学技术研究院

Inventor： 安托万·杜海因 ,  马克·米歇尔 ,  纪尧姆·蓝布琳 ,  D·勒诺布尔

IPC: C25D5/54 ,  B05D1/00 ,  B82Y30/00 ,  C25D15/00 ,  C01B32/00

Abstract: 根据本发明的第一方面，提出了一种用于生产金属‑CNT复合材料的方法。所述方法包括通过沉积涂覆有多酚或聚(儿茶酚胺)涂层的CNT来提供CNT层，并用金属填充碳纳米管层的间隙，以形成其中嵌入有CNT的金属基质。填充通过电沉积或通过无电沉积来进行。多酚或聚(儿茶酚胺)涂层通过金属离子交联，所述金属离子作为金属种子促进在填充步骤期间金属基质的粘附和/或生长。本发明的另一个方面涉及通过所述方法可获得的金属‑CNT复合材料。