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公开(公告)号：CN116529592A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180079323.2
申请日：2021-11-10
Applicant: 卢森堡科学技术研究院
Inventor： 塞萨尔·帕斯夸尔加西亚 , D·勒诺布尔
IPC: G01N27/414
Abstract: 一种pH传感器包括：腔室，该腔室用于接纳电解质溶液；第一离子敏感场效应晶体管(ISFET)和第二ISFET，该第一ISFET和该第二ISFET中的每一个具有：源极端子、漏极端子和在该源极端子与该漏极端子之间延伸的晶体管沟道；介电层，该介电层具有布置在该腔室中的感测表面以便能够被该电解质溶液接触，该介电层将该感测表面与该晶体管沟道分开；第一测量电路，该第一测量电路被配置成测量该第一ISFET的晶体管沟道上的第一源极‑漏极电阻；以及第二测量电路，该第二测量电路被配置成测量该第二ISFET的晶体管沟道上的第二源极‑漏极电阻。该第一测量电路和该第二测量电路包括公共参比电极，该参比电极被布置成可被该腔室中的所述电解质溶液接触。第一ISFET的介电层具有第一厚度，并且该第二ISFET的介电层具有不同于该第一厚度的第二厚度。
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