公开(公告)号：CN1095182C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN96191006.2

申请日：1996-07-19

Applicant: 卡西欧计算机株式会社 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 中村修 ,  铃木滋生

IPC: H01J1/30 ,  H01J61/78 ,  H01J61/067 ,  H01J17/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G02F1/1336 ,  H01J1/30 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/305 ,  H01J61/32 ,  H01J61/70 ,  H01J61/72 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2217/49271 ,  H01J2329/00

Abstract: 用气相淀积(由电阻加热或用电子束实现)或溅射方法在由Ni-Cr合金(INCONEL 601)制成的基板33上制作一个厚度范围为1000-约3000的钇膜34。将得到的由基板33和钇膜34组成的结构置于安装在带有入气口38和出气口39的反应炉31中的平台32上。通过入气口38将氢引入炉子31，使炉子1充满氢。氧和/或含氧物质按体积的浓度为1%或更低。含氧物质是以气相形式存在的水。将氢气氛从正常温度加热到约600℃，这样在约600℃下对结构加热10-60分钟，从而形成一个覆盖着钇膜体35的氧化钇膜36。

公开(公告)号：CN1242592A

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN99103112.1

申请日：1999-03-24

Applicant: 卡西欧计算机株式会社 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 中村修 ,  铃木滋生 ,  森裕一 ,  平间浩则

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J17/06 ,  H01J17/49

Abstract: 通过利用电阻加热或电子束进行沉积或溅镀在由基于Ni－Cr的材料制成的基片表面上形成钇膜。在一含有非常少量的氢的惰性气体环境中加热来氢化钇膜。所得钇氢化物极适用作冷发射电极的冷发射材料,并能用于冷发射放电荧光管。

公开(公告)号：CN1164929A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN96191006.2

申请日：1996-07-19

Applicant: 卡西欧计算机株式会社 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 中村修 ,  铃木滋生

IPC: H01J1/30 ,  H01J61/78 ,  H01J61/067 ,  H01J17/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G02F1/1336 ,  H01J1/30 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/305 ,  H01J61/32 ,  H01J61/70 ,  H01J61/72 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2217/49271 ,  H01J2329/00

Abstract: 用气相淀积(由电阻加热或用电子束实现)或溅射方法在由Ni-Cr合金(INCONEL601)制成的基板33上制作一个厚度范围为1000-约3000的钇膜34。将得到的由基板33和钇膜34组成的结构置于安装在带有入气口38和出气口39的反应炉31中的平台32上。通过入气口38将氢引入炉子31，使炉子1充满氢。氧和/或含氧物质按体积的浓度为1％或更低。含氧物质是以气相形式存在的水。将氢气氛从正常温度加热到约600℃，这样在约600℃下对结构加热10-60分钟，从而形成一个覆盖着钇膜体35的氧化钇膜36。