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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105785508B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201410821688.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 南通新微研究院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III‑V族光增益结构及与所述III‑V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本发明实现了III‑V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB覆层厚度改变时，变化幅度小，耦合效率更加稳定。
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公开(公告)号：CN102904159A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210418410.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于BCB（苯并环丁烯）键合工艺的混合集成激光器及其制作方法，所述混合集成激光器包括具有硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片、BCB覆层、具有底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、贯穿所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔、填充于所述热沉通孔内的多晶硅热沉；结合于所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层表面且具有电极通孔的氮化硅隔离层以及电极结构。本发明采用BCB键合工艺实现了SOI硅基光波导芯片与Ⅲ-Ⅴ族激光器的单片集成，并且引入多晶硅热沉结构以提高激光器的性能。本发明可作为硅基光源器件，为硅基光集成芯片提供片上光源。
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公开(公告)号：CN105785508A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410821688.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III-V族光增益结构及与所述III-V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本发明实现了III-V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB覆层厚度改变时，变化幅度小，耦合效率更加稳定。
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公开(公告)号：CN102904159B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210418410.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于BCB（苯并环丁烯）键合工艺的混合集成激光器及其制作方法，所述混合集成激光器包括具有硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片、BCB覆层、具有底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、贯穿所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔、填充于所述热沉通孔内的多晶硅热沉；结合于所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层表面且具有电极通孔的氮化硅隔离层以及电极结构。本发明采用BCB键合工艺实现了SOI硅基光波导芯片与Ⅲ-Ⅴ族激光器的单片集成，并且引入多晶硅热沉结构以提高激光器的性能。本发明可作为硅基光源器件，为硅基光集成芯片提供片上光源。
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公开(公告)号：CN204302527U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420838949.4
申请日：2014-12-25
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III-V族光增益结构及与所述III-V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本实用新型实现了III-V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB覆层厚度改变时，变化幅度小，耦合效率更加稳定。
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