公开(公告)号：CN115063877A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210630121.9

申请日：2022-06-06

Applicant: 南通大学

Inventor： 丁卫平 ,  王海鹏 ,  冯志豪 ,  沈鑫杰 ,  曹金鑫 ,  程纯 ,  秦廷桢 ,  侯涛 ,  邹志丹 ,  高自强 ,  薛皓文

IPC: G06V40/18 ,  G06V10/762 ,  G16H50/20

Abstract: 本发明涉及图像处理分析技术领域，具体涉及一种面向大数据眼底图像的并行超像素Spark聚类方法。步骤包括：S10、系统首先获取用户上传的大数据眼底图像，将请求信息发送至诊断系统，并调用后台Java程序和Python代码；S20、调用基于Spark平台的超像素FCM加速聚类算法，对眼底图像进行超像素处理；S30、通过Spark框架进行分布式计算，用超像素块的均值像素颜色特征进行编码并转化为弹性分布性数据集RDD，将RDD划分到各节点，各节点进行FCM隶属度计算后汇总，再分区进行聚类中心更新计算，直至算法收敛；S40、输出FCM聚类的结果并保存眼底图像聚类结果；S50、将大量眼底图像数据同时运行结果存储至数据库MySQL中，等待前端请求查看时，将指定眼底图像聚类结果反馈至系统用户。

公开(公告)号：CN118248713A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410406443.4

申请日：2024-04-03

Applicant: 南通大学

Inventor： 邹志丹 ,  谭庶欣 ,  张思诚 ,  李峥

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明公开了一种集成P‑N结的增强型GaN HEMT器件。增强型GaN HEMT器件包括外延结构以及与外延结构匹配的源极、漏极和栅极，外延结构包括沟道层、第一势垒层、第二势垒层和P‑N反向堆叠层，第一势垒层沿选定方向层叠设置在沟道层上，P‑N反向堆叠层沿选定方向层叠设置在第一势垒层的栅极区域，第二势垒层选定方向层叠设置在第一势垒层、P‑N反向堆叠层上，源极、漏极设置在第二势垒层上，并与第二势垒层形成欧姆接触，栅极设置在P‑N反向堆叠层上，并与P‑N反向堆叠层形成肖特基接触。本发明为制作增强型HEMT器件提供了一种行之有效的方法，制备出的GaN HEMT器件的栅极击穿电压更高。

公开(公告)号：CN119767727A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202510036568.7

申请日：2025-01-09

Applicant: 南通大学

Inventor： 谭庶欣 ,  张思诚 ,  邹志丹 ,  陈明

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/47 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明公开了一种降低GaN HEMT器件F注入隔离后漏电的方法及应用。所述方法包括：提供器件基体，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；在势垒层表面的选定区域对器件基体进行F离子注入处理，形成F注入区域，选定区域在源极和漏极之间；在F注入区域的表面，采用含氧等离子体进行等离子体处理，使F注入区域的临近表面的部分材质转化为O处理区域。本发明所提供的技术方案采用了氟离子注入隔离技术结合氧等离子体处理方法，能够减少漏电现象，进而提升器件的整体性能。不仅能够为AlGaN/GaN HEMT器件的深入研究提供指导，而且有望推动GaN基器件技术的快速发展，为电力电子和微波射频等领域带来突破性的变革。

公开(公告)号：CN119767732A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411972692.6

申请日：2024-12-30

Applicant: 南通大学

Inventor： 谭庶欣 ,  邹志丹 ,  张思诚 ,  陈明

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明公开了一种氩离子注入实现GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法。GaN基增强型场效应晶体管的制造方法包括选择合适的注入能量、注入剂量，注入栅下的势垒层而不影响其他位置，保证注入发生在势垒层而不损伤GaN沟道层，通过注入损伤的方式使部分势垒层多晶化和无定型化，破坏晶体的有序性，降低或消除损伤部分的自发极化和压电极化，使栅下的沟道层不存在二维电子气，从而形成增强型器件，其结构简单，制造工艺容易，具有重要的实用价值和广阔的市场前景。