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公开(公告)号：CN115549610A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211273531.9
申请日：2022-10-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供适用于XGS‑PON OLT BM‑LA的共模恢复的低成本设计方案。其中DCOC模块校准电路由低通滤波器、放大器、比较器、数字控制器和电流差分DAC组成。其中低通滤波器与放大器分别将直流失调进行提取与缩放;比较器对直流失调的极性进行判别；数字控制器根据CMP的比较结果，增加或减小电流差分DAC的输出值，直到完成直流失调校准。
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公开(公告)号：CN118760333A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410938873.0
申请日：2024-07-12
Applicant: 南通大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种可调整边界温度的带隙基准电路，其包括依次连接的PTAT产生电路、启动电路、CTAT产生电路和电流叠加电路；所述启动电路，用于提供偏置电压使基准电压源摆脱简并偏置点；所述PTAT产生电路与所述启动电路连接，用于根据工作于线性区的MOS管，生成正温度系数电流IPTAT；所述CTAT产生电路与所述启动电路连接，用于根据工作于亚阈值区的MOS管，生成负温度系数电流ICTAT；所述电流叠加电路与所述PTAT产生电路、CTAT产生电路连接，用于将所述电流IPTAT和所述电流ICTAT叠加，输出零温度系数电流。使用了PTAT产生电路与CTAT产生电路作为基准，再通过电流叠加电路输出零温度系数电流，可以解决现有温度系数调节灵活性低的技术问题。
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公开(公告)号：CN118248713A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410406443.4
申请日：2024-04-03
Applicant: 南通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种集成P‑N结的增强型GaN HEMT器件。增强型GaN HEMT器件包括外延结构以及与外延结构匹配的源极、漏极和栅极，外延结构包括沟道层、第一势垒层、第二势垒层和P‑N反向堆叠层，第一势垒层沿选定方向层叠设置在沟道层上，P‑N反向堆叠层沿选定方向层叠设置在第一势垒层的栅极区域，第二势垒层选定方向层叠设置在第一势垒层、P‑N反向堆叠层上，源极、漏极设置在第二势垒层上，并与第二势垒层形成欧姆接触，栅极设置在P‑N反向堆叠层上，并与P‑N反向堆叠层形成肖特基接触。本发明为制作增强型HEMT器件提供了一种行之有效的方法，制备出的GaN HEMT器件的栅极击穿电压更高。
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公开(公告)号：CN119767732A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411972692.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种氩离子注入实现GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法。GaN基增强型场效应晶体管的制造方法包括选择合适的注入能量、注入剂量，注入栅下的势垒层而不影响其他位置，保证注入发生在势垒层而不损伤GaN沟道层，通过注入损伤的方式使部分势垒层多晶化和无定型化，破坏晶体的有序性，降低或消除损伤部分的自发极化和压电极化，使栅下的沟道层不存在二维电子气，从而形成增强型器件，其结构简单，制造工艺容易，具有重要的实用价值和广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN111223777A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811421745.X
申请日：2018-11-26
Applicant: 南通大学
Inventor： 谭庶欣
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制作方法。所述制作方法包括制作形成异质结的步骤以及制作与异质结配合的源极、漏极的步骤，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极能够通过二维电子气电连接；以及还包括直接在异质结上低温原位生长绝缘层的步骤以及直接在绝缘层上原位生长第三半导体的步骤，第三半导体能够将位于其下方的二维电子气耗尽；以及，制作与第三半导体配合的栅极。本发明提供的制作方法在生长形成异质结后，降低温度，直接在异质结上低温原位生长绝缘层，可避免材料的二次污染、减小界面态密度，且能够形成无定形结构的绝缘层、消除绝缘层材料的自发极化和压电极化，对器件其它结构的生长不会造成污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119767727A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510036568.7
申请日：2025-01-09
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种降低GaN HEMT器件F注入隔离后漏电的方法及应用。所述方法包括：提供器件基体，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；在势垒层表面的选定区域对器件基体进行F离子注入处理，形成F注入区域，选定区域在源极和漏极之间；在F注入区域的表面，采用含氧等离子体进行等离子体处理，使F注入区域的临近表面的部分材质转化为O处理区域。本发明所提供的技术方案采用了氟离子注入隔离技术结合氧等离子体处理方法，能够减少漏电现象，进而提升器件的整体性能。不仅能够为AlGaN/GaN HEMT器件的深入研究提供指导，而且有望推动GaN基器件技术的快速发展，为电力电子和微波射频等领域带来突破性的变革。
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公开(公告)号：CN117220608A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311196509.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 一种基于皮尔斯振荡器的低功耗晶振电路的工艺角测试方法，IPC分类号为G01R31/28，其特征在于：所述低功耗晶振电路包括上电复位电路、稳压电路、Pierce‑CMOS晶振电路、输出缓冲整形电路；将奇数个Pierce‑CMOS晶振电路串联构成环形振荡器，每一个Pierce‑CMOS晶振电路的输出端口作所述环形振荡器的输出端口，以输出振荡信号；在每个周期中以高电平和低电平测量振荡信号的周期和振荡信号的持续时间；和基于所述振荡信号的周期和所述振荡信号在每个周期中处于高电平和低电平的持续时间，确定所述Pierce‑CMOS晶振电路的工艺角，工艺角包括快NFET和快PFET(ff)、慢NFET和慢PFET(ss)、慢NFET和快PFET(sf)及快PFET和慢NFET(fs)。
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公开(公告)号：CN115225042A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210830037.1
申请日：2022-07-15
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供适用于突发模式限幅放大器的共模恢复的低成本设计方案。采用可变时间常数的方法可将共模恢复时间缩短至14 ns，满足无源光网络需求。设计简单可行，既保留了前后级信号交流耦合设计简易的优点，又避免了突发模式限幅放大器中交流耦合方式导致的共模恢复时间较长、难以满足突发模式限幅放大器中的环路工作速度优于25.6 ns的指标要求。
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公开(公告)号：CN106920360A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710177624.4
申请日：2017-03-23
Applicant: 南通大学
IPC: G08B17/12 , G08B25/10 , H01L31/0328 , H01L31/102
CPC classification number: G08B17/12 , G08B25/10 , H01L31/0328 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种基于AlGaN基日盲紫外探测器的远程火灾实时监测方法及系统。所述监测系统包括AlGaN基日盲紫外探测器、放大器模块、数据处理模块、移动终端控制模块、移动终端以及监控模块等。所述监测方法包括：采用AlGaN基日盲紫外探测器探测波长为200～280nm的火灾信号，再经放大器模块将火灾信号传输至数据处理模块、移动终端控制模块，之后以移动终端控制模块向移动终端发送报警信号，以及以监控模块通过无线局域网络向移动终端发送火灾现场的视频信号。本发明的监测系统灵敏度高、背景干扰小、体积小、成本低，可实现火灾信号的实时发送、实时险情监测，并预先对险情做好判断，可以避免误报警导致的社会资源浪费。
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公开(公告)号：CN111223777B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201811421745.X
申请日：2018-11-26
Applicant: 南通大学
Inventor： 谭庶欣
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制作方法。所述制作方法包括制作形成异质结的步骤以及制作与异质结配合的源极、漏极的步骤，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极能够通过二维电子气电连接；以及还包括直接在异质结上低温原位生长绝缘层的步骤以及直接在绝缘层上原位生长第三半导体的步骤，第三半导体能够将位于其下方的二维电子气耗尽；以及，制作与第三半导体配合的栅极。本发明提供的制作方法在生长形成异质结后，降低温度，直接在异质结上低温原位生长绝缘层，可避免材料的二次污染、减小界面态密度，且能够形成无定形结构的绝缘层、消除绝缘层材料的自发极化和压电极化，对器件其它结构的生长不会造成污染。
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