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公开(公告)号:CN116230826A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202310228988.6
申请日:2023-03-10
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开一种基于半导体纳米片的光电传感器,光电传感器采用ZnO溶胶修饰的全无机CdSe/CdS核壳纳米片作为发光介质层。首先,利用胶体化学法制备CdSe/CdS核壳纳米片,然后利用无机ZnO溶胶对核壳纳米片表面改性,得到纳米片溶液;其次,在石英ITO电极基板上滴加纳米片溶液,通过设置不同旋涂转速制备相应厚度的纳米片介质层,然后进行高温退火处理;测量电导率,优化纳米片介质层厚度;然后重复上述步骤(2),来制备最优化纳米片发光介质层;最后利用电子束热蒸发镀膜机在最优纳米片介质层表面镀制银电极,构成完整的纳米片光电传感器。本发明以无机ZnO溶胶进行表面修饰,ZnO溶胶能够改善纳米片周围有机配体不导电特性,从而达到明显的光电传感特性。
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