公开(公告)号：CN116230826A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310228988.6

申请日：2023-03-10

Applicant: 南通大学

Inventor： 张雷 ,  黄智斌 ,  徐宇航 ,  杨悦 ,  王艺杰 ,  张晨雨 ,  由毅 ,  万浩兰 ,  曹诗婷

IPC: H01L33/28 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种基于半导体纳米片的光电传感器，光电传感器采用ZnO溶胶修饰的全无机CdSe/CdS核壳纳米片作为发光介质层。首先，利用胶体化学法制备CdSe/CdS核壳纳米片，然后利用无机ZnO溶胶对核壳纳米片表面改性，得到纳米片溶液；其次，在石英ITO电极基板上滴加纳米片溶液，通过设置不同旋涂转速制备相应厚度的纳米片介质层，然后进行高温退火处理；测量电导率，优化纳米片介质层厚度；然后重复上述步骤（2），来制备最优化纳米片发光介质层；最后利用电子束热蒸发镀膜机在最优纳米片介质层表面镀制银电极，构成完整的纳米片光电传感器。本发明以无机ZnO溶胶进行表面修饰，ZnO溶胶能够改善纳米片周围有机配体不导电特性，从而达到明显的光电传感特性。

公开(公告)号：CN116154056A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310231901.0

申请日：2023-03-10

Applicant: 南通大学

Inventor： 张雷 ,  黄智斌 ,  徐宇航 ,  杨悦 ,  王艺杰 ,  张晨雨 ,  由毅 ,  万浩兰 ,  曹诗婷

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明公开一种基于二维纳米片的大尺寸显示背光源发光层制备方法，背光源发光层是以二六族胶体半导体纳米片作为红绿蓝三基色发光像素单元，每种发光颜色都具有纳米片窄带发射特性（

公开(公告)号：CN118530720A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410837207.8

申请日：2024-06-26

Applicant: 南通大学

Inventor： 张雷 ,  杨涵云 ,  孙文旭 ,  黄智斌 ,  徐宇航 ,  由毅 ,  万浩兰

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请公开短链氨基酸配体修饰的钙钛矿量子点的制备方法，量子点经乙酸甲酯提纯后，用Fmoc‑O‑苄基‑L‑酪氨酸对CsPbBr3量子点表面进行后处理，利用苯环与量子点表面铅离子之间的阳离子‑π相互作用，以及氧与铅离子之间的配位相互作用钝化表面缺陷态，提高CsPbBr3量子点的光学性能；氨基酸对量子点进行表面修饰方案，有效钝化量子点表面缺陷位点，提高量子点的光学性能及稳定性，改善钙钛矿量子点的尺寸均匀性，稳定的分散于有机溶剂，保持基于溶液环境的量子点光电子器件的制备；氨基酸对钙钛矿量子点进行配体修饰的方法简单且高效，有利于促进钙钛矿量子点的性能提升，为制备高质量半导体量子点发光器件奠定材料基础。