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公开(公告)号：CN115220522B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210750405.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 南通大学
IPC: G05F1/67
Abstract: 本发明公开了一种基于改进型扰动观察法的最大功率点跟踪方法，由于太阳能光伏电池的输出特性是非线性的，其输出特性受到光照强度和环境温度的共同影响，在不同的光照条件和温度下，太阳能最大功率点不同，为了使光伏发电功率保持在最大功率处，需要最大功率点跟踪技术，使其一直运行在最大功率点。普通的MPPT技术，例如扰动观察法，所采用的步长为定步长，会存在振荡或者追踪速度慢的问题，因此本发明引入动量项，在距离最大功率点较远处加快追踪速度，并且在距离最大功率点较近处增加追踪精度。
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公开(公告)号：CN115220522A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210750405.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 南通大学
IPC: G05F1/67
Abstract: 本发明公开了一种基于改进型扰动观察法的最大功率点跟踪方法，由于太阳能光伏电池的输出特性是非线性的，其输出特性受到光照强度和环境温度的共同影响，在不同的光照条件和温度下，太阳能最大功率点不同，为了使光伏发电功率保持在最大功率处，需要最大功率点跟踪技术，使其一直运行在最大功率点。普通的MPPT技术，例如扰动观察法，所采用的步长为定步长，会存在振荡或者追踪速度慢的问题，因此本发明引入动量项，在距离最大功率点较远处加快追踪速度，并且在距离最大功率点较近处增加追踪精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118920816A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410982566.2
申请日：2024-07-22
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开一种用于抑制移相全桥变换器串扰的驱动电路及控制方法，该变换器的开关管均为SiC MOSFET，移相全桥变换器中的各个变换器开关管分别连接驱动电路，开关管驱动电路在不减慢SiC MOSFET的开关速度的前提下，同时抑制由栅漏电容和共源寄生电感引起的串扰电压，将作为受扰动管的SiC MOSFET栅源电压始终控制在阈值电压和最大负向电压之间。
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公开(公告)号：CN114024534A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202210019989.5
申请日：2022-01-10
Applicant: 南通大学
IPC: H03K17/16 , H03K17/687 , H02M1/088 , H02M1/44 , H02M1/32
Abstract: 本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路，包括互补导通的SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂，每个桥臂均分别包括基本驱动电路和钳位电路；所述基本驱动电路为被动管栅源极电容预充负电压，以防止正向串扰时误导通，所述钳位电路用于泄放被动管栅源极电容电荷，以防止负向串扰时反向击穿。本发明的有益效果为：通过调节栅源电压抵消栅漏电容Cgd的转移电荷。主动管开关过程中，被动管栅源极不构成回路，即高关断阻抗状态，共源寄生电感Ls引入的串扰电压不会加载在栅源两端。同时解决栅漏电容Cgd和共源寄生电感Ls引入的串扰电压。
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公开(公告)号：CN118944397A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411001255.X
申请日：2024-07-25
Applicant: 南通大学
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种针对桥式变流器前后不对称死区设置的电压补偿方法，通过前后不同的死区时间减少变流器运行时的损耗；利用电流传感器采集三相输出电流将其变换至同步旋转坐标系中，再经滤波后再反变换到三相坐标系中来判断电流极性；基于前后不同死区时间设置方法在每个开关周期中实时调节器件的开通关断时刻，结合输出电流极性，补偿输出电压。本发明能够有效地改善因加入死区时间引起的波形畸变，能够补偿由前后不同死区时间设置方法产生的误差电压，提升输出波形质量。
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公开(公告)号：CN114915158A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210649514.4
申请日：2022-06-09
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种同步工作模式下SiC MOSFET Boost变流器断续工作死区设置方法，包括：获取变流器的实际占空比D、输入侧电压Vi以及输出侧的电压Vo，将主开关管M1开通前的死区时间设置为Tahead；获取SiC MOSFET器件及其驱动电路的相关参数信息，将主开关管M1关断后的死区时间设置为Tafter。上述步骤在n个开关周期内完成，并以n个周期为一次循环时间执行本方法。本发明的死区设置方法既考虑了变流器工作在断续模式这一情形，又考虑了SiC MOSFET容性损耗和二极管的续流损耗，提高变流器在断续工作模式下的效率，无需额外的硬件电路，成本低，增强电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN114024534B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202210019989.5
申请日：2022-01-10
Applicant: 南通大学
IPC: H03K17/16 , H03K17/687 , H02M1/088 , H02M1/44 , H02M1/32
Abstract: 本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路，包括互补导通的SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂，每个桥臂均分别包括基本驱动电路和钳位电路；所述基本驱动电路为被动管栅源极电容预充负电压，以防止正向串扰时误导通，所述钳位电路用于泄放被动管栅源极电容电荷，以防止负向串扰时反向击穿。本发明的有益效果为：通过调节栅源电压抵消栅漏电容Cgd的转移电荷。主动管开关过程中，被动管栅源极不构成回路，即高关断阻抗状态，共源寄生电感Ls引入的串扰电压不会加载在栅源两端。同时解决栅漏电容Cgd和共源寄生电感Ls引入的串扰电压。
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