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公开(公告)号：CN119486567A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411625307.0
申请日：2024-11-14
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种光场照射T型量子点获得纯自旋热电势的方法，通过将二个半导体量子点耦合耦合成T型双量子点结构，并对与量子点连接的两侧电极施加不同的温度场，如果在量子点中施加磁场，则量子点之间的耦合强度可以变得和自旋自由度有关，从而不同自旋方向的电子流经量子点结构时，会发生不同的干涉效应，使得自旋向上和自旋向下热电势的尖峰在量子点能量空间分开，从而获得纯自旋热电势。通过进一步调节光场让T型双量子点结构的自旋热电势进一步增强，最终获得较大的纯自旋热电势。本发明方法为设计快速响应、高效低能耗热电器件提供基础，其效果优于传统的电荷热电势，突破了热电效率低下的限制。
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