公开(公告)号：CN116234408A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310403774.8

申请日：2023-04-17

Applicant: 南通大学

Inventor： 赵志云 ,  马熙圆 ,  高越 ,  黄艳艳 ,  印嘉成 ,  张志豪

IPC: H10N10/01 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种通过光场照射增强双量子点结构中自旋热电势的方法，该方法通过将二个半导体量子点串联耦合，并对与量子点连接的两侧电极施加不同的热辐射，让双量子点结构中存在温度梯度；如果在量子点中施加磁场，则量子点之间的耦合强度可以变得和自旋自由度有关，从而不同自旋方向的电子流经量子点结构时，会发生不同的干涉效应，使得自旋向上和自旋向下热电势的尖峰在量子点能量空间分开，从而获得纯热电势；适当调整结构参数的情况下，调节光场可以让双量子点结构的自旋热电势进一步增强，为设计快速响应、高效低能耗和灵敏温度探测提供基础；优于传统的电荷热电势，突破了热电效率低下的限制，且适用于自旋过滤装置或热电转换领域。

公开(公告)号：CN119486567A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411625307.0

申请日：2024-11-14

Applicant: 南通大学

Inventor： 赵志云 ,  张玉豪 ,  印嘉成 ,  张志豪 ,  徐思成

IPC: H10N10/01 ,  H10N10/10 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种光场照射T型量子点获得纯自旋热电势的方法，通过将二个半导体量子点耦合耦合成T型双量子点结构，并对与量子点连接的两侧电极施加不同的温度场，如果在量子点中施加磁场，则量子点之间的耦合强度可以变得和自旋自由度有关，从而不同自旋方向的电子流经量子点结构时，会发生不同的干涉效应，使得自旋向上和自旋向下热电势的尖峰在量子点能量空间分开，从而获得纯自旋热电势。通过进一步调节光场让T型双量子点结构的自旋热电势进一步增强，最终获得较大的纯自旋热电势。本发明方法为设计快速响应、高效低能耗热电器件提供基础，其效果优于传统的电荷热电势，突破了热电效率低下的限制。