公开(公告)号：CN107030279A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710167796.3

申请日：2017-03-21

Applicant: 海安南京大学高新技术研究院 ,  南京大学 ,  南通南京大学材料工程技术研究院

Inventor： 潘冠军

IPC: B22F1/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  H01F1/24 ,  H01F41/02

CPC classification number: B22F1/0085 ,  B22F1/0062 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F2003/023 ,  H01F1/24 ,  H01F41/02

Abstract: 本申请公开了一种铁基磁粉绝缘包覆方法，包括步骤：s1、粉体预处理：Fe‑Si‑Al粉体原料在氢气中进行高温退火预处理，退火温度为800℃，保温2小时；s2、磷化处理；s3、烘干；s4、绝缘剂添加：将云母和二氧化硅粉末与磁粉混合均匀，云母和二氧化硅粉末的含量为0.5～4％；s5、绝缘包覆；s6、烘干过筛；s7、压制成型：加入脱模润滑剂，采用液压机在模具中一次压制成型，成型压力为11～15MPa，成型密度为6.5g/cm3；s8、退火烧结。采用该方法包覆的Fe‑Si‑Al磁粉芯，其磁导率在120～130之间，磁芯损耗最低可以控制在275mW/cm3左右。本发明Fe‑Si‑Al磁粉芯具有高磁导率和低磁芯损耗，可以应用在输出电感线路滤波器和功率因素校正器等器件中，是一种高频性能好、成本低的软磁材料。

公开(公告)号：CN106929801A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710167776.6

申请日：2017-03-21

Applicant: 海安南京大学高新技术研究院 ,  南京大学 ,  南通南京大学材料工程技术研究院

Inventor： 潘冠军

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C14/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C21D2201/01 ,  C21D2211/008 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  C23C14/5806

Abstract: 本申请公开了一种Ni‑Ti薄膜及其制作方法、MEMS驱动器，该方法利用高真空直流磁控溅射系统共溅射法制备Ni‑Ti薄膜，其厚度可精确控制在60～1000nm之间，该薄膜具有B2‑R单步马氏体相变特征，相变温度滞后仅有1～4K。通过结构调制，本发明窄滞后、亚微米级形状记忆合金薄膜的马氏体相变温度(Af)可以在控制在‑123～22℃，可以满足驱动器在不同使用条件下的高工作频率要求。

公开(公告)号：CN104726826A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510137803.6

申请日：2015-03-27

Applicant: 南通南京大学材料工程技术研究院

Inventor： 孟祥康 ,  石俊 ,  操振华 ,  魏明真 ,  潘冠军

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种超高硬度的Ti-Ni形状记忆合金薄膜的制备方法，采用磁控溅射法制备了Ti/Ni多层膜，以Ni/Ti/Ni/Ti/Ni的顺序沉积，在衬底和Ni层间添加5nm厚的Ti粘接层，严格控制Ti、Ni单层的调制比和调制周期，其中首次采用原位热沉积和高真空加热退火相结合来实现多层膜的合金化，制得的Ti-Ni合金薄膜无明显氧化现象；合金薄膜的硬度远高于共溅射合金薄膜的硬度，具有超高的硬度，并且该方法制备的合金薄膜具有优异的伪弹性。该方法通过引入界面强化作用，薄膜具有超高硬度；采用热沉积和高真空退火方法结合，既有利于Ti、Ni层的扩散和固相反应，实现充分合金化，又能避免合金化过程中薄膜氧化。该方法还具有很强的适用性，可以推广到其他种类合金薄膜的制备上。本发明操作简单，重复性好，清洁无污染，实现效果良好。