一种耐磨耐蚀的Ti5Si3析出相增强高熵合金涂层

    公开(公告)号:CN117187658A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311161449.1

    申请日:2023-09-11

    Abstract: 本发明一种耐磨耐蚀的Ti5Si3析出相增强高熵合金涂层,高熵合金涂层化学成分为:(Al0.5CoCrFeNiTi0.5)100‑xSix,其中10at.%≤x≤25at.%。高熵合金涂层是将Al0.5CoCrFeNiTi0.5高熵合金粉末和Si单质粉末按原子比的混合物作为粉末原料,采用激光熔化沉积技术,结合基材预热手段,通过蛇形往复单层打印方式,在TA15钛合金基材表面激光打印出高熵合金涂层。本发明制备的高熵合金涂层硬度高,无裂纹、气孔等缺陷,与基材冶金结合良好,通过Si元素的加入,促使Ti5Si3相的析出,能有效增强高熵合金涂层的耐磨耐蚀性能。

    一种低铬含量的镍基合金热生长氧化铬保护膜的方法

    公开(公告)号:CN116607187A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310766763.6

    申请日:2023-06-27

    Abstract: 本发明一种低铬含量的镍基合金热生长氧化铬保护膜的方法采用电镀技术,在低铬含量的镍基合金基材表面预先电镀无裂纹Cr前驱膜,高温氧化时可促进低铬含量的镍基合金表面热生长一层连续的氧化铬保护膜。本发明利用现有的电镀设备,在低铬含量的镍基合金表面电镀一层无裂纹Cr前驱膜,高温氧化时,无裂纹Cr薄膜在低铬含量的镍基合金表面生成的Cr2O3可作为基体氧化时Cr2O3的形核点,促进基体的Cr由内氧化向外氧化转变,最后在低铬含量的镍基合金表面形成连续的Cr2O3氧化膜,抑制非保护性的NiO生长,从而可显著提高低铬含量的镍基合金的抗高温氧化性能,降低其高温氧化的速率。本发明方法操作简便,成本低,沉积效率高,具有很强的实用性。

    一种高熵合金涂层及其制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117926100A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410140195.3

    申请日:2024-02-01

    Abstract: 本发明公开一种高熵合金涂层,高熵合金的具体化学成分为(AlCoFeNi)1‑x Crx,其中20at.%≤x≤35at.%。另外,本发明还提供一种高熵合金涂层的制备方法,将AlCoCrFeNi高熵合金粉末和Cr单质粉末(粉末纯度大于99.9%)按照不同原子比机械混合,将混合后的粉末作为高熵合金涂层的粉末原料,采用激光熔化沉积技术,通过蛇形往复单层打印方式在DD5镍基单晶高温合金基材表面激光打印出高熵合金涂层。本发明制备的高熵合金涂层无裂纹、气孔等缺陷且与基材冶金结合良好,并且具有良好的抗高温氧化性能。

    一种调控Cr成分促进α-氧化铝形成提高抗氧化性方法

    公开(公告)号:CN118745564A

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202410951289.9

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本发明一种调控Cr成分促进α‑氧化铝形成提高抗氧化性方法采用磁控溅射制备与靶材成分相同的涂层,涂层和基体成分均为NiCrAl合金,通过调控铬成分及涂层晶粒度大小的方法提高合金的抗高温氧化性能与热稳定性。本发明利用磁控溅射技术,通过调控涂层的铬成分,制得具有纳米晶结构的MCrAl(Y)涂层,可实现在较低温度的工况环境下,涂层能直接生长α‑Al2O3,且涂层与基体结合力强,表面光洁度高,显著提高了涂层的抗高温氧化性与热稳定性能。

    一种经双路送粉在CMC表面沉积难熔高熵合金涂层方法

    公开(公告)号:CN117655352A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311736370.7

    申请日:2023-12-18

    Abstract: 本发明一种经双路送粉在CMC表面沉积难熔高熵合金涂层方法采用激光熔化沉积工艺,预先在碳化硅纤维增强碳化硅基材表面沉积Si连接层后,再将Al粉和难熔高熵合金粉末以双路送粉的方式,沉积组成为Al0.15CrMoTaTi的难熔高熵合金涂层。本发明采用双路送粉的方式解决了球形高熵合金粉末制粉时Al、Cr挥发损失及Al粉难混合问题,并通过工艺参数调节,使涂层与基体界面平整,且涂层厚度均匀,结构致密,显著减少了涂层孔洞、开裂等缺陷,进而获得优异的抗氧化和耐高温性能,而且涂层经恒温氧化后所生成致密的氧化铝保护膜是目前唯一能完全保护基体的氧化膜,工况适应性能优异。

    一种促进低铬含量的镍基合金热生长氧化铬保护膜的方法

    公开(公告)号:CN112647108B

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202110094476.6

    申请日:2021-01-25

    Inventor: 谢云 黄渊超 彭晓

    Abstract: 一种促进低铬含量的镍基合金热生长氧化铬保护膜的方法,采用电泳技术,在低于10wt%铬含量的镍基合金表面预沉积一薄层具有刚玉结构的氧化物纳米颗粒,再在低于900℃的空气中氧化时,在镍基合金表面热生长一层连续的氧化铬保护膜。本发明通过镍基合金表面预沉积氧化物纳米颗粒,降低了Cr2O3的形核功,诱导Cr2O3在合金表面形成连续的外氧化膜,能避免镍基合金因Cr含量不足而发生Cr的内氧化,抑制了非保护性的NiO生长,从而可显著提高低铬含量的镍基合金的抗高温氧化性能,降低其高温氧化的速率;发明方法具有工艺简单、操作方便、成本低廉、沉积效率高等优点。

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