公开(公告)号：CN107881561A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710952184.5

申请日：2017-10-13

Applicant: 南昌大学

Inventor： 于天宝 ,  王茜茜

IPC: C30B33/10 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: C30B33/10 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法及其应用，其中，该单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法中包括：提供具备亲水性的单晶硅片；在所述单晶硅片表面形成规则排布的聚合物微球薄膜；对所述聚合物微球薄膜进行蚀刻，将单晶硅片表面的聚合物微球彼此分离；对所述聚合物微球进一步进行湿法蚀刻，得到正金字塔周期阵列结构绒面。制备出的正金字塔阵列结构绒面的比表面积小、光子吸收优异，且其制备工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN107863410A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710952196.8

申请日：2017-10-13

Applicant: 南昌大学

Inventor： 于天宝 ,  王茜茜

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池制备方法，包括：提供适用于制备太阳能电池的单晶硅片；将单晶硅片固定，在所述单晶硅片表面形成规则形状的阵列图形；将PEDOT:PSS溶液与硅烷偶联剂进行混合得到混合溶液；将定量的混合溶液滴在阵列图形表面，旋涂均匀之后进行退火处理；进一步将定量的PEDOT:PSS溶液滴在阵列图形表面，旋涂均匀之后进行退火处理；制备电极，完成太阳能电池的制备。其在单晶硅片表面制备正金字塔状的阵列图形，减少其表面缺陷，降低高宽比，便于后续PEDOT:PSS溶液的包覆。