公开(公告)号：CN104022158A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410227041.4

申请日：2014-05-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 杨方方 ,  刘江涛 ,  刘念华

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/24 ,  H01L2029/42388

Abstract: 本发明公开了一种MoS2薄膜晶体管，其特征是由下层的基底层、中间的沟道层和上层的栅介质层构成，所述沟道层是单层MoS2薄膜，所述基底层由特定厚度SiO2构成，所述栅介质层为特定厚度HfO2层。本发明可通过改变基底层和栅介质层的厚度来增加晶体管的透射率，从而得到超高光透射率MoS2薄膜晶体管，从而增加薄膜晶体管液晶显示器中像素的开口率，提高显示质量，降低功耗。

公开(公告)号：CN104022158B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410227041.4

申请日：2014-05-27

Applicant: 南昌大学

Inventor： 杨方方 ,  刘江涛 ,  刘念华

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明公开了一种MoS2薄膜晶体管，其特征是由下层的基底层、中间的沟道层和上层的栅介质层构成，所述沟道层是单层MoS2薄膜，所述基底层由特定厚度SiO2构成，所述栅介质层为特定厚度HfO2层。本发明可通过改变基底层和栅介质层的厚度来增加晶体管的透射率，从而得到超高光透射率MoS2薄膜晶体管，从而增加薄膜晶体管液晶显示器中像素的开口率，提高显示质量，降低功耗。