一种分级多孔钛合金的制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118639049A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410666792.X

    申请日:2024-05-27

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明涉及医用外科植入材料领域,尤其涉及一种分级多孔钛合金的制备方法,包括以下步骤:通过LPBF技术处理钛合金粉末,制备得到具有一级大孔的钛合金,随后通过电火花线切割技术将具有一级大孔的钛合金从基板上切割分离,得到前驱体;对前驱体进行热处理,得到中间体;在混合电解质溶液中采用电化学法对中间体进行脱合金处理,得到具有三级梯度孔径的多孔钛合金。本发明提供的一种分级梯度多孔钛合金的制备方法的有益效果在于,能够制备出均匀分布的亚毫米‑微米‑纳米三级孔径的多孔钛合金,同时通过调节LPBF的建模、热处理以及电化学处理的参数能够调控各级孔的大小。

    一种低熔点In-Sn-Bi合金钎料及制备方法

    公开(公告)号:CN109822256B

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201910196379.0

    申请日:2019-03-15

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明涉及合金材料技术领域,具体的说,是一种低熔点In‑Sn‑Bi合金钎料,及其制备方法。一种低熔点In‑Sn‑Bi合金钎料,该合金钎料按照重量份表示,包括如下组分:In 48‑51.5份、Sn 44‑47.5份、Bi 4‑6份。本发明所述的In‑Sn‑Bi合金钎料的熔点为96.8‑100.5摄氏度,相比In‑Sn共晶钎料合金熔点低近20摄氏度,In含量降低使成本降低,添加Bi元素提升了合金的润湿铺展能力,并且钎料中的Bi元素与In元素反应生成BiIn IMC,BiIn IMC的存在使其他IMC(In3Sn和In0.2Sn0.8)的在富In和富Sn相的界面处生长受到抑制,这使In‑Sn‑Bi焊料的微观结构更精细。

    基于电阻缝焊工艺的钛基复合材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116689924A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310772239.X

    申请日:2023-06-28

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于电阻缝焊工艺的钛基复合材料及其制备方法与应用,涉及电阻缝焊增材制备的技术领域。所述制备方法包括以下步骤:将氢化脱氢钛粉与TiB2粉末混合球磨制得混合粉末;其中,所述混合粉末中氢化脱氢钛粉的质量百分数为90~99.5%,余量为TiB2粉末;将所述混合粉末置于真空环境中干燥处理制得复合改性粉末;将所述复合改性粉末填充于电阻缝焊设备上进行表面逐层堆焊制得钛基复合材料。本发明中的制备方法通过采用成本低廉的氢化脱氢钛作为原料能够降低成本,并且采用电阻缝焊工艺后所制得的钛基复合材料具有优异的力学性能和质量。

    一种低熔点In-Sn-Bi合金钎料及制备方法

    公开(公告)号:CN109822256A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910196379.0

    申请日:2019-03-15

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明涉及合金材料技术领域,具体的说,是一种低熔点In-Sn-Bi合金钎料,及其制备方法。一种低熔点In-Sn-Bi合金钎料,该合金钎料按照重量份表示,包括如下组分:In 48-51.5份、Sn 44-47.5份、Bi 4-6份。本发明所述的In-Sn-Bi合金钎料的熔点为96.8-100.5摄氏度,相比In-Sn共晶钎料合金熔点低近20摄氏度,In含量降低使成本降低,添加Bi元素提升了合金的润湿铺展能力,并且钎料中的Bi元素与In元素反应生成BiIn IMC,BiIn IMC的存在使其他IMC(In3Sn和In0.2Sn0.8)的在富In和富Sn相的界面处生长受到抑制,这使In-Sn-Bi焊料的微观结构更精细。

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