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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101130836A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710071589.4
申请日：2007-09-30
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织的制备方法，在电阻炉中、用石墨覆盖SiCp/AZ61镁基复合材料的条件下进行重熔，其特征是重熔加热温度为595℃～600℃、保温时间为30min～60min，本发明所述的制备方法得到的SiCp/AZ61镁基复合材料重熔组织，球状晶粒组织比较好，能获得了细小而均匀的半固态球状重熔组织，完全满足其触变成形的要求，而且工艺简单、安全可靠，操作方便，使传统触变成形的三步骤变为二步骤(坯料的重熔、触变成形)，且无三废污染。
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公开(公告)号：CN100347331C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510063947.8
申请日：2005-03-28
Applicant: 南昌大学
IPC: C22F1/06
Abstract: 一种AZ61镁合金半固态坯料的制备方法，由预变形、等温热处理工艺流程组成，其特征是预变形加热温度为300℃～400℃，变形量控制在5%～42%，然后采取阻燃措施，进行等温热处理，加热温度为570℃～610℃，保温时间0min～40min，本发明所述的制备方法制备出的AZ61镁合金半固态坯料，其球状晶粒组织细小，圆整度较好，其晶粒组织的等积圆直径大部分位于90um～150um之间，且晶粒组织的圆度主要在1.2～1.8范围，完全满足其后续触变成形的要求，而且工艺简单、安全可靠，无三废污染。
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公开(公告)号：CN1654699A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510063947.8
申请日：2005-03-28
Applicant: 南昌大学
IPC: C22F1/06
Abstract: 一种AZ61镁合金半固态坯料的制备方法，由预变形、等温热处理工艺流程组成，其特征是预变形加热温度为300℃～400℃，变形量控制在5％～42％，然后采取阻燃措施，进行等温热处理，加热温度为570℃～610℃，保温时间0min～40min，本发明所述的制备方法制备出的AZ61镁合金半固态坯料，其球状晶粒组织细小，圆整度较好，其晶粒组织的等积圆直径大部分位于90um～150um之间，且晶粒组织的圆度主要在1.2～1.8范围，完全满足其后续触变成形的要求，而且工艺简单、安全可靠，无三废污染。
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公开(公告)号：CN101045965A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710068156.3
申请日：2007-04-16
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种SiCp/AZ61复合材料半固态制备方法，属镁合金复合材料的制备方法领域，其特征是在采用熔剂覆盖和氩气保护的条件下，将AZ61镁合金放入钢坩埚中，加热完全熔化，接着使熔体温度降到590℃～595℃，去掉氧化层，按SiC颗粒的体积分数为3％～9％的量，加入平均粒度为10μm～20μm的预热温度为250℃～300℃、保温时间120min～180min的SiC颗粒，搅拌3～10min，再将温度迅速升到680℃～700℃，本发明工艺简单，操作方便，且设备投入少，生产成本低，适宜大规模生产。
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