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公开(公告)号:CN117393662A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311379758.6
申请日:2023-10-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供一种电流阻挡层的制备方法、硅衬底垂直结构LED芯片。电流阻挡层的制备方法包括以下步骤:(1)清洗硅衬底外延片表面;(2)使用气相化学沉积仪在硅衬底外延片表面沉积二氧化硅;(3)在所述二氧化硅表面沉积氧化铝;(4)在所述氧化铝表面涂覆光刻胶,使用掩膜版曝光后显影并刻蚀二氧化硅和氧化铝至外延片表面露出,去除光刻胶,得到电流阻挡层。硅衬底垂直结构LED芯片自下而上为硅基板、保护粘结金属层、反射金属层、电流阻挡层、半导体发光层、N电极金属层。本发明的电流阻挡层可抑制N电极下方有源区发光,使电流扩散更均匀、提高芯片发光效率;避免现有工艺在制备电流阻挡层时产生的刻蚀损伤导致芯片良率和可靠性降低。
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公开(公告)号:CN102778295B
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201210297106.3
申请日:2012-08-21
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
IPC: G01J3/443
Abstract: 本发明公开了一种在线测量发光二极管外延片光致发光光谱装置,它包括反应室和控制系统,在反应室安装有MOCVD加热器、石墨衬底基座、外延片和,MOCVD喷头,特征是:在MOCVD喷头的石英棒孔中安装有石英棒和石英棒外套;激光光纤连接在激光器和激光发射准直头之间,复用光纤连接在激发接收准直头和石英棒之间,光谱光纤连接在光谱准直头和光纤光谱仪之间;控制系统对反应室、激光器和光纤光谱仪进行控制。本发明通过人为降低外延片的温度来提高光致发光的信号强度,再通过石英棒来激发和收集光致发光光谱,并在光纤光谱仪上显示出光致发光光谱。本发明具有实时监测外延片在反应室内的生长情况、保证外延片能够正常生长、减少经济损失等优点。
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公开(公告)号:CN203349936U
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201320416922.1
申请日:2013-07-15
Applicant: 南昌大学
IPC: G01J5/60
Abstract: 本实用新型公开了一种应用于MOCVD反应室的双波长径向移动比色测温仪,包括红外辐射探头盒体,特征是:在红外辐射探头盒体内的中央设有分光片腔,在分光片腔中斜向放置有45度分光片,在红外辐射探头盒体内的上端设有上滤光片和上光感探测器,在红外辐射探头盒体内的右端设有右滤光片和右光感探测器;在微型精密电控平移台上设有步进电机和丝杆,红外辐射探头盒体固定在丝杆的滑块上,丝杆径向安装在MOCVD反应室的石英光学视窗的正上方,使得测温探头的进光孔的下端对准MOCVD反应室的顶板上的石英光学视窗下方的喷头喷孔。在步进电机的驱动下,测温探头可以沿径向探测所有喷孔对应的温度。本实用新型具有采用双波长比色测温法、能精确、细致地测量MOCVD反应室绝对温度分布、不需要对喷孔大小进行校准、操作方便实用的优点。
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