公开(公告)号：CN111999796B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202010824689.5

申请日：2020-08-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 邹林儿 ,  邱昱 ,  张泽 ,  傅继武 ,  沈云 ,  邓晓华

IPC: G02B6/02

Abstract: 本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种快速制作高反射率硫系玻璃光纤Bragg光栅的方法，包括如下步骤：S1，搭建基于法布里‑珀罗（FP）标准具原理设计的测量硫系玻璃光纤沿轴向施加张力的折射率变化的测量设备；S2，通过测量设备得到沿轴向施加张力的As2S3硫系玻璃光纤的最佳光敏性；S3，搭建改进型的Sagnac干涉写光栅系统；S4，将步骤S2中的As2S3硫系玻璃光纤放置于步骤S3中的Sagnac干涉写光栅系统中制作高反射率硫系玻璃光纤Bragg光栅。本发明解决了横向全息曝光法的机械稳定性不高，光谱质量较差，且需要长时间曝光才能得到布喇格光栅的问题，同时显著提高光栅反射率；改变光栅中心波长可以通过调整两反射镜夹角而易得到改变，不必更换相位掩模板。

公开(公告)号：CN111999796A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010824689.5

申请日：2020-08-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 邹林儿 ,  邱昱 ,  张泽 ,  傅继武 ,  沈云 ,  邓晓华

IPC: G02B6/02

Abstract: 本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种快速制作高反射率硫系玻璃光纤Bragg光栅的方法，包括如下步骤：S1，搭建基于法布里-珀罗（FP）标准具原理设计的测量硫系玻璃光纤沿轴向施加张力的折射率变化的测量设备；S2，通过测量设备得到沿轴向施加张力的As2S3硫系玻璃光纤的最佳光敏性；S3，搭建改进型的Sagnac干涉写光栅系统；S4，将步骤S2中的As2S3硫系玻璃光纤放置于步骤S3中的Sagnac干涉写光栅系统中制作高反射率硫系玻璃光纤Bragg光栅。本发明解决了横向全息曝光法的机械稳定性不高，光谱质量较差，且需要长时间曝光才能得到布喇格光栅的问题，同时显著提高光栅反射率；改变光栅中心波长可以通过调整两反射镜夹角而易得到改变，不必更换相位掩模板。