使用高耐热有机硅氧烷成膜材料对电解铜箔进行表面处理的方法

    公开(公告)号:CN105695977A

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201610079157.7

    申请日:2016-02-04

    Applicant: 南昌大学

    CPC classification number: C23C22/52 C23C2222/20

    Abstract: 一种使用高耐热有机硅氧烷成膜材料对电解铜箔进行表面处理的方法,其特征是将高耐热有机硅氧烷成膜材料与水、醇类溶剂按体积比1~10:1~20:20~120的比例混合,搅拌10~30min,调pH值为4.5~5.5,静置6小时至7天,制成水解成膜液,在电解铜箔的毛面和亮面的表面分别涂覆水解成膜液,经150~200℃加热固化10min~2h形成一层致密的高耐热的有机硅烷膜;本发明取代原有的镀铬钝化环节,摒弃了六价铬的使用,极大地提高了环保性能。该方法合并了原有毛面的涂覆硅烷偶联剂的工艺环节,简化了生产工艺。同时有助于提高电解铜箔与基体树脂的结合力。

    一种改性硅烷偶联剂的制备方法

    公开(公告)号:CN105669738A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610033017.6

    申请日:2016-01-19

    Applicant: 南昌大学

    CPC classification number: B01J31/1608 B01J2231/4277 C07F7/1804 C07F7/1892

    Abstract: 一种改性硅烷偶联剂的制备方法,包括(1)将单酐或四酸二酐溶于冰乙酸中,按单酐或四酸二酐与烯丙基氨的摩尔比为1:1或1:2加入烯丙基氨,搅拌回流3~24h,加水,过滤,洗涤,干燥,得到酰亚胺化产物;(2)将酰亚胺化产物溶于中等极性的非质子溶剂中,加入0.2ml或0.35ml催化剂、与酰亚胺化产物摩尔比为1:1或2:1的三烷氧基硅烷,在50~70℃条件下反应5~48h,减压蒸馏出去低沸点馏分,获得产物。本发明在保证催化效率最优的情况下,使用最少的催化剂,从而达到生产成本最低的目的。

Patent Agency Ranking