一种刀具、单晶碳化硅材料的加工方法及加工设备

    公开(公告)号:CN109773638A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910106502.5

    申请日:2019-02-02

    Abstract: 本发明涉及机械加工技术领域,提供了一种刀具、单晶碳化硅材料的加工方法及加工设备,本发明的刀具,至少刀头由单晶碳化硅材料制成,具有优良的机械强度、热稳定性和化学稳定性,适用于超精密加工。本发明采用电解液射流辅助磨削的方法对单晶碳化硅材料进行加工,使在工件表面被高速氧化后产生的氧化膜立刻被磨削去除,可增加磨削精度和磨削效率,磨削后不会对单晶碳化硅表面形成损伤层;用于加工单晶碳化硅材料的加工设备,包括磨削装置和射流装置,射流装置用于对单晶碳化硅工件喷射电解液,磨削装置用于对喷射电解液后的单晶碳化硅材料进行磨削加工,避免了二次损伤并且能提高磨削效率。

    一种基于电化学的材料表面改性方法与装置

    公开(公告)号:CN110453261A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910670144.0

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于电化学的材料表面改性方法与装置,属于材料加工领域。本发明的材料表面改性方法包括,设置待加工工件,在待加工工件表面喷涂电解液,在待加工工件与喷涂的电解液之间施加电场,使所述待加工工件与所述电解液之间形成电解环境。基于射流电化学加工原理,通过电解极性接法的不同,在目标电极上发生氢脆、着色、沉积反应。本发明的射流电化学材料表面改性方法具有操作便捷性好、高效且加工位置可控的好处。

    一种基于电化学的材料表面改性方法与装置

    公开(公告)号:CN110453261B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN201910670144.0

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于电化学的材料表面改性方法与装置,属于材料加工领域。本发明的材料表面改性方法包括,设置待加工工件,在待加工工件表面喷涂电解液,在待加工工件与喷涂的电解液之间施加电场,使所述待加工工件与所述电解液之间形成电解环境。基于射流电化学加工原理,通过电解极性接法的不同,在目标电极上发生氢脆、着色、沉积反应。本发明的射流电化学材料表面改性方法具有操作便捷性好、高效且加工位置可控的好处。

    一种刀具、单晶碳化硅材料的加工方法及加工设备

    公开(公告)号:CN109773638B

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN201910106502.5

    申请日:2019-02-02

    Abstract: 本发明涉及机械加工技术领域,提供了一种刀具、单晶碳化硅材料的加工方法及加工设备,本发明的刀具,至少刀头由单晶碳化硅材料制成,具有优良的机械强度、热稳定性和化学稳定性,适用于超精密加工。本发明采用电解液射流辅助磨削的方法对单晶碳化硅材料进行加工,使在工件表面被高速氧化后产生的氧化膜立刻被磨削去除,可增加磨削精度和磨削效率,磨削后不会对单晶碳化硅表面形成损伤层;用于加工单晶碳化硅材料的加工设备,包括磨削装置和射流装置,射流装置用于对单晶碳化硅工件喷射电解液,磨削装置用于对喷射电解液后的单晶碳化硅材料进行磨削加工,避免了二次损伤并且能提高磨削效率。

    一种研磨方法与研磨装置

    公开(公告)号:CN111558851B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202010298359.7

    申请日:2020-04-16

    Inventor: 赵永华 陈钊杰

    Abstract: 本发明公开了一种研磨方法与研磨装置。该研磨方法用于对工件的表面进行研磨,包括如下步骤:S10对所述工件的待研磨表面进行软化以形成软化层;S20设置研磨工具,使所述研磨工具的硬度介于所述工件软化前后的硬度之间;S30使所述研磨工具相对于所述工件旋转,并使所述研磨工具与所述工件沿垂直于所述软化层的厚度方向相对运动以去除所述软化层,且所述研磨工具的研磨深度大于所述软化层的厚度。本发明能够在研磨过程中去除研磨工具表面钝化的磨粒,无需暂停研磨后来去除,一定程度上提高了研磨效率。

    一种研磨方法与研磨装置

    公开(公告)号:CN111558851A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN202010298359.7

    申请日:2020-04-16

    Inventor: 赵永华 陈钊杰

    Abstract: 本发明公开了一种研磨方法与研磨装置。该研磨方法用于对工件的表面进行研磨,包括如下步骤:S10对所述工件的待研磨表面进行软化以形成软化层;S20设置研磨工具,使所述研磨工具的硬度介于所述工件软化前后的硬度之间;S30使所述研磨工具相对于所述工件旋转,并使所述研磨工具与所述工件沿垂直于所述软化层的厚度方向相对运动以去除所述软化层,且所述研磨工具的研磨深度大于所述软化层的厚度。本发明能够在研磨过程中去除研磨工具表面钝化的磨粒,无需暂停研磨后来去除,一定程度上提高了研磨效率。

    一种单晶碳化硅材料的加工设备

    公开(公告)号:CN209737289U

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201920185878.5

    申请日:2019-02-02

    Abstract: 本实用新型涉及机械加工技术领域,提供了一种单晶碳化硅材料的加工设备,包括磨削装置和射流装置,射流装置用于对单晶碳化硅工件喷射电解液,磨削装置用于对喷射电解液后的单晶碳化硅材料进行磨削加工,使在工件表面被高速氧化后产生的氧化膜立刻被磨削去除,可增加磨削精度和磨削效率,磨削后不会对单晶碳化硅表面形成损伤层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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