一种超导探测器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113432732B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202110614585.6

    申请日:2021-06-02

    Inventor: 王钊 郭伟杰

    Abstract: 本申请实施例提供一种超导探测器,所述超导探测器包括:衬底,以及设置于所述衬底上的介质层;超导线结构,包括多层堆叠设置的超导线层,每层所述超导线层由一根超导线在同一平面内形成,相邻的两层所述超导线层交错排布,相邻的两层所述超导线层之间通过所述介质层隔开。本申请实现了提高光敏区有效面积,降低光纤对准难度。

    一种超导探测器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113432732A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110614585.6

    申请日:2021-06-02

    Inventor: 王钊 郭伟杰

    Abstract: 本申请实施例提供一种超导探测器,所述超导探测器包括:衬底,以及设置于所述衬底上的介质层;超导线结构,包括多层堆叠设置的超导线层,每层所述超导线层由一根超导线在同一平面内形成,相邻的两层所述超导线层交错排布,相邻的两层所述超导线层之间通过所述介质层隔开。本申请实现了提高光敏区有效面积,降低光纤对准难度。

    一种超导探测单元、超导探测器及超导探测系统

    公开(公告)号:CN115389032A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211048508.X

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本申请公开一种超导探测单元、超导探测器及超导探测系统,涉及超导探测的技术领域。该超导探测单元,包括电感、第一电容和衬底。电感用于接收待探测光信号,产生电信号;第一电容包括第一电极、第二电极;衬底上设置有凹槽,在衬底设置有凹槽的表面设置有第二电极,第二电极在凹槽处向下凹陷,第二电极覆盖在凹槽的内表面,第二电极上设置有电介质层,电介质层上覆盖有第一电极,第一电极和第二电极分别与电感连接,电感位于衬底的上表面。由于将第一电容设置在凹槽内,使第一电容在衬底上占据的面积更小,降低了单个超导探测单元的面积,在同样面积的超导探测器阵列中,能布置更多的超导探测单元,提高了超导探测的分辨率,从而提高成像分辨率。

    一种光刻胶旋涂后的基片背部除胶机

    公开(公告)号:CN219464174U

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202223362583.1

    申请日:2022-12-14

    Abstract: 本实用新型属于微纳器件加工设备技术领域,公开了一种光刻胶旋涂后的基片背部除胶机,包括:装片箱体;供电组件,所述供电组件设在所述装片箱体内;基片固定组件,所述基片固定组件设在所述装片箱体内;清洗液箱体,所述清洗液箱体设在所述装片箱体外侧壁;以及清洗枪,所述清洗枪通过电缆与供电组件电连接,所述电缆穿设在所述装片箱体上;其中,所述清洗枪上设置有清洗头,所述清洗枪用于驱动所述清洗头。本实用新型通过基片固定组件固定待清洗基片,并通过清洗枪旋转清洗头来清洗基片背面边缘位置的光刻胶。解决了传统纯人工清洗基片过程中擦拭不干净,容易污染和破坏基片的涂胶区域,甚至摔坏基片的技术问题。

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