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公开(公告)号：CN111244165A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010042884.2
申请日：2020-01-15
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明实施例公开了一种栅极结构的制备方法以及栅极结构，其中栅极结构的制备方法包括：提供外延片，外延片包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层和P型栅层；于P型栅层上形成栅极掩膜并刻蚀未被所述栅极掩膜覆盖的P型栅层，漏出势垒层；于漏出的势垒层上进行二次外延生长。通过较薄的势垒层来增加阈值电压，在沟道区域刻蚀P型栅层过后的势垒层表面上选择性二次外延生长新的AlGaN来降低导通电阻和增加饱和电流，可以保证器件有高阈值电压同时，有效的降低导通电阻。
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