公开(公告)号：CN108416838B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201810173416.1

申请日：2018-03-02

Applicant: 南开大学

Inventor： 任博 ,  黄家辉 ,  胡事民

IPC: G06T17/00

Abstract: 一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统，该生长模拟方法利用本发明提供的系统，采用相场理论，通过引入分子方向场的计算，能够高效地生成具有任意对称性与不同程度对称破缺外观的晶体，并能实现在任意弯曲表面与三维情形下的晶体生长。本方法同时提供了灵活的对晶体生长的艺术控制手段。本发明具有较强的实用性，能够为结晶的生长模拟提供多样化而高效的解决方案。

公开(公告)号：CN108416838A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810173416.1

申请日：2018-03-02

Applicant: 南开大学

Inventor： 任博 ,  黄家辉 ,  胡事民

IPC: G06T17/00

Abstract: 一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统，该生长模拟方法利用本发明提供的系统，采用相场理论，通过引入分子方向场的计算，能够高效地生成具有任意对称性与不同程度对称破缺外观的晶体，并能实现在任意弯曲表面与三维情形下的晶体生长。本方法同时提供了灵活的对晶体生长的艺术控制手段。本发明具有较强的实用性，能够为结晶的生长模拟提供多样化而高效的解决方案。