公开(公告)号：CN108416838B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201810173416.1

申请日：2018-03-02

Applicant: 南开大学

Inventor： 任博 ,  黄家辉 ,  胡事民

IPC: G06T17/00

Abstract: 一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统，该生长模拟方法利用本发明提供的系统，采用相场理论，通过引入分子方向场的计算，能够高效地生成具有任意对称性与不同程度对称破缺外观的晶体，并能实现在任意弯曲表面与三维情形下的晶体生长。本方法同时提供了灵活的对晶体生长的艺术控制手段。本发明具有较强的实用性，能够为结晶的生长模拟提供多样化而高效的解决方案。

公开(公告)号：CN108416838A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810173416.1

申请日：2018-03-02

Applicant: 南开大学

Inventor： 任博 ,  黄家辉 ,  胡事民

IPC: G06T17/00

Abstract: 一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统，该生长模拟方法利用本发明提供的系统，采用相场理论，通过引入分子方向场的计算，能够高效地生成具有任意对称性与不同程度对称破缺外观的晶体，并能实现在任意弯曲表面与三维情形下的晶体生长。本方法同时提供了灵活的对晶体生长的艺术控制手段。本发明具有较强的实用性，能够为结晶的生长模拟提供多样化而高效的解决方案。

公开(公告)号：CN107273617A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710468199.4

申请日：2017-06-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 任博 ,  胡事民 ,  袁泰凌 ,  李晨锋 ,  徐昆

IPC: G06F17/50 ,  G06T17/20

CPC classification number: G06F17/5009 ,  G06T17/20

Abstract: 一种表面流流体运动的实时模拟方法，通过使用浅水波方程，对其中的不同项的计算提出创新性的计算方法，获得系统性，高效率，能够处理非可忽略速度流体的表面流流体解决方案。其中，本方法首次提出了基于特征的粘滞模型与可处理表面溶解的表面多组分流体运动模型。本方法对于浅水波方程中移流、表面张力、与3D模拟器结合等问题的处理方式相比前人的方法也更加高效。本方法可以完全并行在GPU上，获得实时的模拟速度。本发明具有较强的实用性，能够为表面流流体的模拟提供完整全面的高效解决方案。

公开(公告)号：CN107273617B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201710468199.4

申请日：2017-06-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 任博 ,  胡事民 ,  袁泰凌 ,  李晨锋 ,  徐昆

IPC: G06F17/50 ,  G06T17/20

Abstract: 一种表面流流体运动的实时模拟方法，通过使用浅水波方程，对其中的不同项的计算提出创新性的计算方法，获得系统性，高效率，能够处理非可忽略速度流体的表面流流体解决方案。其中，本方法首次提出了基于特征的粘滞模型与可处理表面溶解的表面多组分流体运动模型。本方法对于浅水波方程中移流、表面张力、与3D模拟器结合等问题的处理方式相比前人的方法也更加高效。本方法可以完全并行在GPU上，获得实时的模拟速度。本发明具有较强的实用性，能够为表面流流体的模拟提供完整全面的高效解决方案。