公开(公告)号：CN119491195A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411659739.3

申请日：2024-11-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  韩纬 ,  黄茜

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08 ,  H10K30/82 ,  H10K39/15 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明公开了一种低温、低轰击的透明导电薄膜的制备及其在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池中的应用。通过对不同掺杂比例的TCO陶瓷靶在室温下进行磁控溅射制备该复合薄膜。氩氧混合气作为工艺气体。所有沉积在沉积前均在小于1×10‑5Pa的基础压力下进行。本发明的复合透明导电氧化物薄膜通过调控不同掺杂比例的TCO薄膜溅射气压和功率，调控其不同的生长模式，得到一种低温、低轰击的复合透明导电氧化物薄膜。该复合透明导电氧化物薄膜下层为柱状结晶生长模式，上层为等轴大晶粒生长模式，可以应用在钙钛矿/硅叠层太阳电池中，可以促进载流子在TCO透明电极中垂直和横向传输能力，促进了载流子电荷的有效收集和传输，得到高效钙钛矿/硅叠层太阳电池。