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公开(公告)号：CN104931812B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510245720.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种测量电光晶体电光系数的方法及装置，包括：使一束可见波段的激光依次通过起偏镜、毛玻璃、待测电光晶体、检偏镜，然后用白屏接收出射光点和由毛玻璃造成的散射光形成的干涉图样；其中起偏镜与检偏镜的偏振方向垂直，待测电光晶体上施加一个可调节的直流电压；首先通过理论分析选择合适的激光入射角(θ0，φ0)，(θ0，φ0)为入射激光传播方向与待测电光晶体各电感应主轴的夹角；测量时，先将待测电光晶体上施加的直流电压调节为OV，微调待测电光晶体与入射激光的夹角，使出射光点落在干涉图样中与入射角(θ0，φ0)对应的暗区上，然后逐渐增大直流电压，此过程中出射光点位置不变，而干涉图样将发生变化，当出射光点再次落在干涉图样的下一个紧邻暗区时，记下此时的直流电压数值U；再由理论计算可求得相应电光系数。
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公开(公告)号：CN102296365A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010207689.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种掺钒铌酸锂晶体，采用Czochralski提拉法生长。元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。本发明在掺杂量比较少的情况下，晶体具有优异的光折变性能，特别是在紫外光波段(351nm)，光折变性能大大增强，如响应时间短，衍射效率高，光耦合系数大等，并且光吸收系数较小，综合性能优于其他掺杂元素(如：Mg、Zn、In)；此外，由于掺杂量低，利于生长高光学质量的晶体。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597801A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910068854.2
申请日：2009-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体，由纯度为99.99％的Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、CuO和Ce2O3制成，其制备方法是采用提拉法，1)将粉料按用料比混合，烘干后在混料机上搅拌，使Li2CO3充分分解；2)将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法沿c轴方向按拉脖、放肩、等径、收尾程序生长锆铜铈三掺铌酸锂晶体。本发明的优点及效果：锆铜铈三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铜铈三掺铌酸锂晶体中能很好的实现了非挥发存储，灵敏度比铜铈双掺铌酸锂晶体提高了10倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性，具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597800A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910068853.8
申请日：2009-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种锆铁锰三掺铌酸锂晶体，由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Fe2O3和MnO制成，其采用提拉法生长，1)将纯度为99.99％的粉料按用料比混合，烘干后在混料机上混合搅拌使Li2CO3充分分解；2)将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法生长锆铁锰三掺铌酸锂晶体。本发明的优点：锆铁锰三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铁锰三掺铌酸锂晶体中很好的实现了非挥发存储，响应时间最短达到1.21s，灵敏度达到1.78cm/J，比铁锰双掺铌酸锂晶体提高了20倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性，具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101187581A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710151175.2
申请日：2007-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G01G3/12
Abstract: 一种双称重传感器复合称重装置。该装置在壳体内分别固定一个小量程、高灵敏度的拉压式传感器和一个大量程、低灵敏度的悬臂梁式传感器，构成一个总量程较大、称重较小时又具有较高灵敏度的复合称重装置。两个传感器分别通过短张丝和长张丝连接在引线上。拉压式传感器的下方连接了一个配重物，其重量加上拉压式传感器的自重与拉压式传感器量程基本相等，配重物的下方为固定在壳体上的可上下移动的托盘，可使配重物与托盘接触或脱离。用于称重的引线用托架固定。本发明可以满足晶体生长等径控制等特殊需要的传感器，不仅具有较大的量程，同时在小量程时具有较高的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1594673A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410019732.1
申请日：2004-06-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的制备，特别是成分均匀的铌酸锂晶体的制备工艺，属于光电材料制备技术领域。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，熔体的成分不断发生变化，结晶的固体成分也不断发生变化。因此难以得到成分均匀的铌酸锂晶体。为此本发明公开了一种近化学比铌酸锂晶体制备工艺，其技术方案是：在双坩埚直拉法生长铌酸锂晶体的工艺中，随着晶体的生长，往熔体中加入Nb∶Li＝64∶36的熔融原料颗粒，使熔体的成分维持不变。本发明的有益效果：加入熔体有利于扩散，使晶体生长速度加快，提高生产效率；原料是含量36mol％的Li，是Li含量小于50mol％的Li2O·Nb2O5体系中熔点最低的共晶点原料，有利于熔体的加入。
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公开(公告)号：CN119457056A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411605680.X
申请日：2024-11-12
Applicant: 天津市中西医结合医院(天津市南开医院) , 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种气敏材料及其制备方法、应用和气敏元器件，包括将四氯化锡、氢氧化钠和聚乙烯吡咯烷酮加入无水乙醇和去离子水中搅拌，并加入氯金酸溶液，搅拌混匀，得到混合溶液，将所述混合溶液进行水热反应，所述水热反应后冷却得到水热产物，将所述水热产物固液分离，并将所述固液分离出的固体进行洗涤，得到沉淀物，将所述沉淀物干燥、煅烧，降至室温后得到Au/SnO2的气敏材料；通过将金属Au掺入SnO2制备Au/SnO2气敏材料，提高了气敏材料的灵敏度和选择性。
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公开(公告)号：CN102206092B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110064158.1
申请日：2011-03-17
Applicant: 南开大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性。本发明解决了现有发光多孔材料发光波段范围不足，可选用泵浦光波长范围小以及能应用于上转换发光的多孔材料极少的问题。
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公开(公告)号：CN101550598B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910068819.0
申请日：2009-05-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+，所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN102206092A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110064158.1
申请日：2011-03-17
Applicant: 南开大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性。本发明解决了现有发光多孔材料发光波段范围不足，可选用泵浦光波长范围小以及能应用于上转换发光的多孔材料极少的问题。
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