公开(公告)号：CN119365035A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411294496.8

申请日：2024-09-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 丁毅 ,  张嘉为 ,  王荣波 ,  王雅 ,  赵均陶 ,  钟杏苑 ,  侯国付 ,  赵颖 ,  张晓丹

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K30/30 ,  H10K30/57 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明涉及光电功能材料与器件技术领域，提供一种基于2D钙钛矿限域定向生长的钙钛矿光活性层制备方法、太阳电池及制备方法，通过甲酸甲脒调节钙钛矿主体的晶粒尺寸，并在晶界处产生缝隙；通过硫氰酸铅进行初步钝化，成膜过程中，硫氰酸根释放后在晶界处形成碘化铅；采用胍基碘进行后处理，在晶界处与碘化铅反应，实现2D钙钛矿的限域定向生长。本发明在双掺杂产生晶界缝隙以及完成碘化铅初步钝化的基础上，采用胍基碘进行后处理可以有效改善薄膜质量，同时提高器件的光电转换效率与填充因子，获得高效稳定的钙钛矿单结太阳电池以及钙钛矿/有机叠层太阳电池。