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公开(公告)号：CN115207221A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210705006.3
申请日：2022-09-07
Applicant: 南开大学
Abstract: 发明提供一种对钙钛矿太阳电池空穴传输层的掺杂方法，钙钛矿太阳电池所使用的空穴传输材料为硫氢酸亚铜(CuSCN)，所述掺杂方法是向CuSCN中掺入硫氢酸锂(LiSCN)。本发明通过该掺杂方法，可有效提高空穴传输特性，从而提高钙钛矿太阳电池的器件性能。同时将掺杂后的空穴传输层应用于钙钛矿太阳电池中，对太阳电池的开路电压、短路电流密度、填充因子、光电转换效率都有显著的提升作用；本发明提出的空穴传输层掺杂方法为制备高效的钙钛矿太阳电池提供了一个广阔前景。
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公开(公告)号：CN113363389A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110695156.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种对钙钛矿太阳电池p/i界面的修饰方法，钙钛矿太阳电池包括透明导电衬底、空穴传输层、p/i界面修饰层、钙钛矿活性层、电子传输层、空穴阻挡层和金属电极，所述p/i界面修饰层为二甲双胍盐酸盐。本发明通过该界面修饰层，可有效提高空穴传输材料对钙钛矿溶液的浸润性，从而提高钙钛矿薄膜的结晶质量。同时该修饰层可有效钝化钙钛矿缺陷，对太阳电池的开路电压、短路电流密度、填充因子、光电转换效率都有显著的提升作用;本发明提出的修饰方法为制备高效的钙钛矿太阳电池提供了一个广阔前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119365035A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411294496.8
申请日：2024-09-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及光电功能材料与器件技术领域，提供一种基于2D钙钛矿限域定向生长的钙钛矿光活性层制备方法、太阳电池及制备方法，通过甲酸甲脒调节钙钛矿主体的晶粒尺寸，并在晶界处产生缝隙；通过硫氰酸铅进行初步钝化，成膜过程中，硫氰酸根释放后在晶界处形成碘化铅；采用胍基碘进行后处理，在晶界处与碘化铅反应，实现2D钙钛矿的限域定向生长。本发明在双掺杂产生晶界缝隙以及完成碘化铅初步钝化的基础上，采用胍基碘进行后处理可以有效改善薄膜质量，同时提高器件的光电转换效率与填充因子，获得高效稳定的钙钛矿单结太阳电池以及钙钛矿/有机叠层太阳电池。
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公开(公告)号：CN116507183A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310612548.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及光电功能材料与器件技术领域，提供一种钙钛矿太阳电池及其制备方法，采用了乙二胺和乙二硫醇的复合溶液作为溶剂，严格控制乙二胺和乙二硫醇的体积比和加热温度，使PbS和PbF2完全溶解于乙二胺和乙二硫醇的复合溶液，并采用PbS和PbF2作为制备钙钛矿太阳电池的前驱体溶液，使钙钛矿太阳电池的外延模板层引入了PbS和PbF2，改善了钙钛矿薄膜的稳定性，进一步提升了钙钛矿太阳电池的稳定性，延长了电池的使用寿命，推动了钙钛矿太阳电池的商业化进程。
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公开(公告)号：CN116367562A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310364607.7
申请日：2023-04-07
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池n/i界面的修饰方法，钙钛矿太阳电池包括透明导电衬底、电子传输层、n/i界面修饰层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极，所述n/i界面修饰层为甲酸甲脒材料，所述甲酸甲脒材料是同时包括羧基和氨基化合物的修饰层。本发明通过该界面修饰层，可有效提高电子传输材料的电学性质，钝化电子传输层表面的缺陷。此外，甲酸甲脒还可以通过在n/i界面处构造化学桥从而提高界面接触性能，并通过调节钙钛矿生长过程获得高质量的钙钛矿薄膜。同时，该修饰层对于器件的开路电压、短路电流密度、填充因子、光电转换效率都有显著的提升作用；本发明提出的修饰方法为制备高效的常规钙钛矿太阳电池提供了一个广阔前景。
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公开(公告)号：CN113363389B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110695156.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种对钙钛矿太阳电池p/i界面的修饰方法，钙钛矿太阳电池包括透明导电衬底、空穴传输层、p/i界面修饰层、钙钛矿活性层、电子传输层、空穴阻挡层和金属电极，所述p/i界面修饰层为二甲双胍盐酸盐。本发明通过该界面修饰层，可有效提高空穴传输材料对钙钛矿溶液的浸润性，从而提高钙钛矿薄膜的结晶质量。同时该修饰层可有效钝化钙钛矿缺陷，对太阳电池的开路电压、短路电流密度、填充因子、光电转换效率都有显著的提升作用;本发明提出的修饰方法为制备高效的钙钛矿太阳电池提供了一个广阔前景。
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公开(公告)号：CN113889578A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111147394.X
申请日：2021-09-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池p/i界面的修饰层及其制备方法，其中，钙钛矿太阳电池包括透明导电衬底、空穴传输层、p/i界面修饰层、钙钛矿活性层、电子传输层和金属电极，所述p/i界面修饰层为无机离子化合物氯化钠。本发明通过该界面修饰层，可有效改善空穴传输层表面的浸润性，从而提高钙钛矿薄膜的结晶质量。同时，该修饰层可以有效钝化钙钛矿缺陷，从而显著提升了器件的开路电压、光电转换效率。本发明提出的界面修饰方法为制备高效的钙钛矿太阳电池提供了一个广阔背景。
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