-
公开(公告)号：CN118223106B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410278083.4
申请日：2024-03-12
Applicant: 南开大学 , 南开沧州渤海新区绿色化工研究有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大面积(100)单晶铜箔的连续化制备方法，将多晶铜箔连接于卷对卷装置，铜箔下方放置炭基基材，于还原/保护气氛中，在具有温度梯度的环境下，通过在热处理过程中施加应力的方式制备大面积(100)单晶铜箔。本发明首次通过对铜箔施加应力，精确调控其应变能，使应变能成为晶界迁移和晶格旋转的主要影响因素，从而实现了控制单晶铜箔生长过程中应变能占主导，在还原性气氛中通过热处理可控制备大面积的(100)单晶铜箔。
-
公开(公告)号：CN118223106A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410278083.4
申请日：2024-03-12
Applicant: 南开大学 , 南开沧州渤海新区绿色化工研究有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大面积(100)单晶铜箔的连续化制备方法，将多晶铜箔连接于卷对卷装置，铜箔下方放置炭基基材，于还原/保护气氛中，在具有温度梯度的环境下，通过在热处理过程中施加应力的方式制备大面积(100)单晶铜箔。本发明首次通过对铜箔施加应力，精确调控其应变能，使应变能成为晶界迁移和晶格旋转的主要影响因素，从而实现了控制单晶铜箔生长过程中应变能占主导，在还原性气氛中通过热处理可控制备大面积的(100)单晶铜箔。
-
公开(公告)号：CN115896912A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210542666.4
申请日：2022-05-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积单晶铜箔的制备方法及设备，将多晶铜箔放置于炭纸或炭布上，在还原性气氛中，于至少三个温区的环境下，通过热处理的方式制备大面积(111)单晶铜箔。本发明首次选用铜箔界面能较低的炭纸或炭布基底，减小铜箔与基底的界面能，从而使表面能成为晶界迁移的主要影响因素，实现了控制单晶铜箔生长过程中表面能占主导，在还原性气氛中通过热处理可控制备大面积的(111)单晶铜箔。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.012 seconds)
