公开(公告)号：CN115896912A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210542666.4

申请日：2022-05-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈军 ,  张钰峰 ,  郝志猛 ,  严振华 ,  赵庆 ,  李海霞 ,  程方益 ,  廖平元 ,  王俊锋

IPC: C30B1/02 ,  C30B29/02 ,  C22F1/02 ,  C22F1/08 ,  C21D9/46

Abstract: 本发明公开了一种大面积单晶铜箔的制备方法及设备，将多晶铜箔放置于炭纸或炭布上，在还原性气氛中，于至少三个温区的环境下，通过热处理的方式制备大面积(111)单晶铜箔。本发明首次选用铜箔界面能较低的炭纸或炭布基底，减小铜箔与基底的界面能，从而使表面能成为晶界迁移的主要影响因素，实现了控制单晶铜箔生长过程中表面能占主导，在还原性气氛中通过热处理可控制备大面积的(111)单晶铜箔。