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公开(公告)号:CN116709880B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202311004746.5
申请日:2023-08-10
Applicant: 南开大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/00 , H10K71/60 , H10K85/30 , H10K50/30 , H10K50/805 , H10K50/844
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域,提供一种基于单磷光分子场效应管的单光子源及其制备方法,将铂类单磷光分子通过酰胺键共价连接到具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯间隙中,构筑栅压调控单光子源,利用栅压偏压调控发光波长等性质,并外加六方氮化硼(h‑BN)保护层对单磷光分子场效应管进行封装,大大增强了单光子源的稳定性和抗干扰能力。
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公开(公告)号:CN116234406A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202211590579.2
申请日:2022-12-12
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子隧穿器件及其制备方法,垂直单分子隧穿器件包括衬底、依次设置在衬底上的源极、带电荷自组装单分子膜、导电二维材料电极层,以及设置在衬底上的栅极和漏极;带电荷自组装单分子膜包括带电荷有机分子,带电荷有机分子具有式(I)所示结构;带电荷有机分子中的R1与源极之间通过化学键连接,带电荷有机分子中的R2与导电二维材料电极层之间存在非共价键的范德华作用;垂直单分子隧穿器件还包括分布于导电二维材料电极层、栅极和漏极上的碱性液体电介质溶液。本申请提供的垂直单分子隧穿器件具有高的开/关整流比。
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公开(公告)号:CN119836208A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202510301361.8
申请日:2025-03-14
Applicant: 南开大学
IPC: H10K85/60 , H10K50/30 , H10K50/805 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及电致发光器件技术领域,尤其涉及一种基于发光自由基的单分子电致发光器件及其制备方法,该基于发光自由基的单分子电致发光器件包括电致发光单元、石墨烯点源端电极和石墨烯点漏端电极,电致发光单元的左端、右端分别与石墨烯点源端电极和石墨烯点漏端电极通过酰胺键或酯键连接形成单分子发光自由基分子场效应管,选取单个发光自由基分子作为电致发光单元,能够精确控制分子级别的发光中心,可实现高效率、高稳定性和长寿命的电致发光,且发光自由基分子具有从最低双线态到基态的高效发光的特点;本发明提供的制备方法,其制备过程简单、条件易于控制,有助于推进电致发光与新兴量子技术领域的发展。
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公开(公告)号:CN117285549A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202311366200.4
申请日:2023-10-20
Applicant: 南开大学
IPC: C07F5/00 , C07C231/02 , C07C233/62 , C07C233/78 , C07C303/38 , C07C311/18 , C07D471/06 , C07D487/22 , C07F1/08 , C07F1/10 , C07F1/12 , H10K85/30 , B82Y40/00 , H10K50/30 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及分子光电子器件技术领域,尤其涉及金属纳米团簇化合物和石墨烯单分子场效应晶体管。金属纳米团簇化合物的结构式包括式(Ⅰ);其中,金属M包括Lr、Au、Ag和Cu中的至少一种;R1和R2分别包括式(Ⅱ);n为3、4、5、6或7;形成所述式(Ⅱ)中的R3和R4基团的原料各自独立地包括式(1)至式(5)中的至少一种。本发明的金属纳米团簇化合物光致发光特性优异,可以用其制作激发波长与栅控响应双重可调的光致发光石墨烯单分子场效应晶体管,同时其与石墨烯单分子场效应晶体管中石墨烯点电极间酰胺共价键可以稳定连接,保障了石墨烯单分子场效应晶体管的稳定性。
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公开(公告)号:CN117263937A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311365713.3
申请日:2023-10-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子电子器件技术领域,尤其涉及PDI自由基衍生物和石墨烯自旋场效应晶体管。PDI自由基衍生物包括如下结构式: ,其中,当R2和R3为(CH2)nNH2时,R1为 ,R4为H或,其中,n为3、4、5或6;当R1和R4为(CH2)nNH2时,R2为 ,R3为H或 ,其中,n为3、4、5或6。该PDI自由基衍生物中具有稳定的自由基,使得PDI自由基衍生物具有独特的导电性、磁学性质和非线性光学性质,其与石墨烯自旋场效应晶体管中的磁性电极以及石墨烯点电极对配合可产生稳定的自旋电流,使得石墨烯自旋场效应晶体管稳定性较强,可靠性高,性能优异。
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公开(公告)号:CN116709880A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202311004746.5
申请日:2023-08-10
Applicant: 南开大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/00 , H10K71/60 , H10K85/30 , H10K50/30 , H10K50/805 , H10K50/844
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域,提供一种基于单磷光分子场效应管的单光子源及其制备方法,将铂类单磷光分子通过酰胺键共价连接到具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯间隙中,构筑栅压调控单光子源,利用栅压偏压调控发光波长等性质,并外加六方氮化硼(h‑BN)保护层对单磷光分子场效应管进行封装,大大增强了单光子源的稳定性和抗干扰能力。
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