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公开(公告)号:CN116709880B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202311004746.5
申请日:2023-08-10
Applicant: 南开大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/00 , H10K71/60 , H10K85/30 , H10K50/30 , H10K50/805 , H10K50/844
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域,提供一种基于单磷光分子场效应管的单光子源及其制备方法,将铂类单磷光分子通过酰胺键共价连接到具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯间隙中,构筑栅压调控单光子源,利用栅压偏压调控发光波长等性质,并外加六方氮化硼(h‑BN)保护层对单磷光分子场效应管进行封装,大大增强了单光子源的稳定性和抗干扰能力。
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公开(公告)号:CN119584829A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202510131785.4
申请日:2025-02-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电器件领域,提供一种基于上转换光电器件的单光子源及其制备方法,制备方法包括:制备介电层;在介电层上制备石墨烯阵列电极;构建石墨烯纳米间隙点电极对;将石墨烯纳米间隙点电极对置于两口烧瓶中,向两口烧瓶中加入1‑(3‑二甲氨基丙基)‑3‑2‑乙基碳二亚胺盐酸盐和上转换发光分子A部分,氮气环境下向两口烧瓶中加入无水吡啶,得到两端连接有上转换发光分子A部分的器件并与含有镧系金属的上转换发光分子B部分放入四氢呋喃溶液中进行分子体系螯合,获得含有手性基团的单分子上转换光电器件;在单分子上转换光电器件上镀一层液态金属Ga2O3保护层,获得单光子源,增强单光子源的稳定性和抗干扰能力。
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公开(公告)号:CN116709880A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202311004746.5
申请日:2023-08-10
Applicant: 南开大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/00 , H10K71/60 , H10K85/30 , H10K50/30 , H10K50/805 , H10K50/844
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域,提供一种基于单磷光分子场效应管的单光子源及其制备方法,将铂类单磷光分子通过酰胺键共价连接到具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯间隙中,构筑栅压调控单光子源,利用栅压偏压调控发光波长等性质,并外加六方氮化硼(h‑BN)保护层对单磷光分子场效应管进行封装,大大增强了单光子源的稳定性和抗干扰能力。
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