一种基于上转换光电器件的单光子源及其制备方法

    公开(公告)号:CN119584829A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202510131785.4

    申请日:2025-02-06

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及分子光电器件领域,提供一种基于上转换光电器件的单光子源及其制备方法,制备方法包括:制备介电层;在介电层上制备石墨烯阵列电极;构建石墨烯纳米间隙点电极对;将石墨烯纳米间隙点电极对置于两口烧瓶中,向两口烧瓶中加入1‑(3‑二甲氨基丙基)‑3‑2‑乙基碳二亚胺盐酸盐和上转换发光分子A部分,氮气环境下向两口烧瓶中加入无水吡啶,得到两端连接有上转换发光分子A部分的器件并与含有镧系金属的上转换发光分子B部分放入四氢呋喃溶液中进行分子体系螯合,获得含有手性基团的单分子上转换光电器件;在单分子上转换光电器件上镀一层液态金属Ga2O3保护层,获得单光子源,增强单光子源的稳定性和抗干扰能力。

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