公开(公告)号：CN105293427B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201510610955.3

申请日：2015-09-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙广毅 ,  蒋秀芬 ,  张春来 ,  赵新

IPC: B81C1/00 ,  C25D5/02

Abstract: 一种基于弯月面受限局部电镀的超疏水表面的制备方法，步骤如下：1)在基底表面采用刻蚀法、生长法、电镀法、光刻法、沉积法或剥离法局部制备微纳结构，所制备的微纳结构为柱、锥、槽或孔阵列，制得尺寸为微米级或纳米级的微纳结构基底；2)在微纳结构表面采用旋涂法、喷涂法、浸润法、蒸发法或溅射法制备疏水涂层；3)在微纳结构的顶部进行局部电镀电镀液在微纳结构顶部形成弯月面，弯月面底部与微纳结构侧壁和基底表面构成气穴。本发明的优点是：与超疏水表面相比，本方法制备的超疏水表面微纳结构顶端亲水侧壁疏水，气体层更加稳定，在自清洁和水下减阻等领域都有着重要的实用价值和良好的应用前景。

公开(公告)号：CN105668510A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610117742.1

申请日：2016-03-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙广毅 ,  张春来 ,  蒋秀芬 ,  赵新

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种面向生物单细胞检测应用的两步压印方法。本发明创新性地提出一种两步压印工艺和图形复刻的方法，即一次热压印工艺和二次涂覆压印工艺。根据本发明提出的方法，先进行基于带有微结构的硅模板或者金属硬质模板的热塑性聚合物材料的一次热压印工艺，把模板上的微结构图形复刻到热塑性聚合物薄膜上，然后以制得的聚合物薄膜为模板，进行生物活性材料的二次压印和脱模工艺，以此把硅模板或者金属硬质模板上的微结构完整地复刻到生物活性材料薄膜上。本方法实现简单方便，图形复刻精度高，经济效益好，实现的单细胞生物检测具有高通量、可控、可视化的优点，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN105619774A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610113090.4

申请日：2016-03-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙广毅 ,  张春来 ,  蒋秀芬 ,  赵新

IPC: B29C59/02 ,  C25D11/12 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16

CPC classification number: B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  C25D11/045 ,  C25D11/10 ,  C25D11/12 ,  C25D11/16

Abstract: 一种基于热压印的超疏水材料制备方法，步骤如下：1)将金属铝片放在电解液中，通过两步阳极氧化方法制得AAO模板，并根据不同的实验条件可以调控AAO模板表面孔洞结构的深宽比；2)在上述AAO模板的表面采用旋涂法、喷涂法、浸润法、蒸发法或溅射法制备疏水涂层，使得AAO模板的表面和孔洞内壁相对平滑；3)以上述带有疏水涂层的AAO为模板，以聚合物材料为基底进行热压印工艺，然后进行降温、脱模。，本发明的优点是：该方法简单方便、经济效益高且易于实现，通过热压印工艺加工出表面具有纳米结构的超疏水材料，气体层稳定，疏水性持久，作为水下减阻材料使用时纳米结构不容易脱落，可实现批量生产，具有广阔的市场前景。

公开(公告)号：CN105293427A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510610955.3

申请日：2015-09-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙广毅 ,  蒋秀芬 ,  张春来 ,  赵新

IPC: B81C1/00 ,  C25D5/02

Abstract: 一种基于弯月面受限局部电镀的超疏水表面的制备方法，步骤如下：1)在基底表面采用刻蚀法、生长法、电镀法、光刻法、沉积法或剥离法局部制备微纳结构，所制备的微纳结构为柱、锥、槽或孔阵列，制得尺寸为微米级或纳米级的微纳结构基底；2)在微纳结构表面采用旋涂法、喷涂法、浸润法、蒸发法或溅射法制备疏水涂层；3)在微纳结构的顶部进行局部电镀电镀液在微纳结构顶部形成弯月面，弯月面底部与微纳结构侧壁和基底表面构成气穴。本发明的优点是：与超疏水表面相比，本方法制备的超疏水表面微纳结构顶端亲水侧壁疏水，气体层更加稳定，在自清洁和水下减阻等领域都有着重要的实用价值和良好的应用前景。

公开(公告)号：CN204727978U

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201520448337.9

申请日：2015-06-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙广毅 ,  蒋秀芬 ,  赵新

IPC: C25F3/12 ,  C25F7/00

Abstract: 本实用新型公开了一种光电化学刻蚀设备，用于制备高深宽比硅微纳结构的加工。由左右两个腔体合并组成的腔室，在左腔体上固定有作为阳极的硅片，硅片的背后有铜圈，所述的铜圈中间设有通孔，通孔内放置光源；所述的右腔体中设有作为阴极的铂金片，并通过实心铜圈固定于硅片相对的位置，还包括用于连接左右两个腔体的主腔体上。在外部设备——蠕动泵，电源，灯源的配合下，将硅片作为阳极，铂金片作为阴极置于HF中，即可制得高深宽比较高的多孔硅。是一种无需掩膜，价格低廉，操作简单的光电化学刻蚀设备。